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K1399-T1B-A-VB 产品详细

产品简介:

K1399-T1B-A-VB 产品简介

K1399-T1B-A-VB 是一款小型 N 沟道 MOSFET,采用 SOT23-3 封装,设计用于处理高达 60V 的漏极源电压(VDS)。其导通电阻(RDS(ON))在 VGS=4.5V 时为 3100mΩ,而在 VGS=10V 时为 2800mΩ。这款 MOSFET 的阈值电压(Vth)为 1.7V,适合多种低功耗应用,尤其在空间受限的电子设备中表现优异。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
详细参数说明

- **型号**:K1399-T1B-A-VB
- **封装类型**:SOT23-3
- **配置**:Single-N-Channel
- **最大漏极源电压 (VDS)**:60V
- **栅极-源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3100mΩ @ VGS=4.5V
- 2800mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**:0.3A
- **技术**:Trench

领域和模块应用:

应用领域与模块示例

K1399-T1B-A-VB 适用于多个领域和模块,具体包括:

1. **便携式电子设备**:
- 由于其小型化设计和低导通电阻,该器件适合用于智能手机、平板电脑等便携设备的电源管理和开关电路。

2. **LED 驱动**:
- K1399-T1B-A-VB 可用于 LED 照明应用中的开关控制,确保高效的电流调节和功率管理。

3. **电池供电应用**:
- 在电池供电设备中,该 MOSFET 可用于电池管理系统,提供高效的电源切换和充放电控制。

4. **消费类电子产品**:
- 该器件适合用于音响设备、家用电器等消费电子产品中,提升能效和可靠性。

通过这些应用,K1399-T1B-A-VB 展现出在低电压、高效率电路中的广泛适用性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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