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K1133-T1B-A-VB 产品详细

产品简介:

K1133-T1B-A-VB MOSFET产品简介

K1133-T1B-A-VB是一款高效的N沟道MOSFET,采用紧凑的SOT23-3封装,设计用于低电压应用。其最大漏源极电压(VDS)为60V,适合于各种中等电压需求的电路。该MOSFET具有较低的阈值电压(Vth)为1.7V,能够在较低的栅极驱动电压下迅速开启,适合于节能应用。其导通电阻(RDS(ON))为3100mΩ(在VGS为4.5V时),和2800mΩ(在VGS为10V时),在确保有效电流传输的同时,降低了功率损耗。K1133-T1B-A-VB采用Trench技术,具有优良的热性能和电气特性,广泛应用于开关电源、LED驱动以及电动机控制等领域。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
K1133-T1B-A-VB详细参数说明

- **封装类型**: SOT23-3
- **配置**: 单N沟道MOSFET
- **漏源极电压 (VDS)**: 60V
- **栅极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3100mΩ @ VGS=4.5V
- 2800mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 0.3A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

K1133-T1B-A-VB应用领域及模块举例

1. **低压电源管理**: K1133-T1B-A-VB适合用于低压电源转换器和调节器,能够在高效的同时实现对电源的精确控制,广泛应用于便携式电子设备和电源适配器。

2. **LED驱动**: 由于其较低的导通电阻,该MOSFET非常适合用于LED驱动电路,可以提高LED的亮度和效率,同时延长其使用寿命,适用于照明设备和显示屏。

3. **电动机控制**: K1133-T1B-A-VB可用于小型电动机控制电路,适合于风扇、泵和小家电的驱动,实现高效能和快速响应。

4. **便携式设备**: 由于其紧凑的SOT23封装和低功耗特性,该MOSFET广泛应用于智能手机、平板电脑和其他便携式设备中,确保设备在高效运行的同时,保持小型化设计。

通过其优异的电气特性和多样的应用场景,K1133-T1B-A-VB在现代电子设计中具有极高的实用价值,能够满足各类行业的需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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