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IRLML6402G-VB 产品详细

产品简介:

IRLML6402G-VB MOSFET 产品简介

IRLML6402G-VB 是一款高性能P沟道功率MOSFET,采用小型的SOT23-3封装,专为低电压和高效率应用设计。该MOSFET 的最大漏源电压(VDS)为-20V,栅源电压(VGS)为±12V,支持最大漏极电流-4A。IRLML6402G-VB 的导通电阻在VGS=2.5V时为80mΩ,VGS=4.5V时为65mΩ,VGS=10V时为60mΩ,能够有效降低功率损耗。采用先进的Trench技术,这款MOSFET 提供了优秀的开关性能和热管理,非常适合空间受限的应用场合。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-P -20V 12(±V) -0.8V -4A 80mΩ 60mΩ
详细参数说明

- **封装类型**: SOT23-3
- **通道配置**: 单P沟道
- **漏源电压 (VDS)**: -20V
- **栅源电压 (VGS)**: ±12V
- **阈值电压 (Vth)**: -0.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 80mΩ @ VGS=2.5V
- 65mΩ @ VGS=4.5V
- 60mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: -4A
- **技术类型**: Trench技术
- **最大功耗**: 依据具体散热设计,功耗应根据应用场景进行管理。
- **工作温度范围**: -55°C 至 175°C

领域和模块应用:

应用领域及模块

1. **负载开关**: IRLML6402G-VB 在负载开关应用中非常适用,尤其是在空间受限的电子设备中。其低导通电阻和小巧的封装使其成为消费电子产品中的理想选择,如智能手机、平板电脑和便携式设备。

2. **电源管理**: 在电源管理电路中,IRLML6402G-VB 可以用于负载开关和电流控制。其优异的开关性能和低功耗特性使其适用于高效的电源转换和电压调节模块。

3. **LED驱动电路**: 该MOSFET 适用于LED驱动器和调光电路,提供精确的电流控制。其低导通电阻确保了LED光源的稳定性和高效能。

4. **电池管理系统**: 在电池管理系统中,IRLML6402G-VB 可以用于电池的开关控制和保护电路。其低阈值电压使其在低电压操作条件下表现优异,从而提高了电池管理系统的效率和安全性。

5. **工业自动化**: 在工业自动化设备中,尤其是那些对空间有严格要求的应用,IRLML6402G-VB 提供了可靠的开关性能和高效的电能管理,适用于各种控制和保护电路。

总之,IRLML6402G-VB 是一款适用于低电压、高效率和空间受限应用的P沟道MOSFET,其小型封装和低导通电阻使其在负载开关、电源管理、LED驱动、电池管理和工业自动化等领域中表现出色。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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