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IRLML6344TR-VB 产品详细

产品简介:

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IRLML6344TR-VB 是一款 SOT23-3 封装的单 N 沟道 MOSFET,采用先进的 Trench 技术设计。这款 MOSFET 特别适合用于空间受限的应用,同时需要处理中等电流和电压。它具有漏极-源极电压 (VDS) 为 30V,栅极-源极电压 (VGS) 为 ±20V,阈值电压 (Vth) 为 1.7V。导通电阻为 33mΩ(在 VGS = 4.5V)和 30mΩ(在 VGS = 10V),能够支持最大 6.5A 的连续漏极电流 (ID)。这些特性使其非常适合用于各种低功率开关和控制应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 30V 20(±V) 1.7V 6.5A 30mΩ
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- **型号:** IRLML6344TR-VB
- **封装类型:** SOT23-3
- **通道配置:** 单 N 沟道
- **漏极-源极电压 (VDS):** 30V
- **栅极-源极电压 (VGS):** ±20V
- **阈值电压 (Vth):** 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON)):**
- 33mΩ @ VGS = 4.5V
- 30mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流 (ID):** 6.5A
- **技术:** Trench

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领域和模块应用:

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1. **便携式设备:**
IRLML6344TR-VB 的紧凑 SOT23-3 封装非常适合用于便携式电子设备,例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。它能够在有限的空间内处理中等电流,适合用于电源管理、低功率开关以及信号处理等任务,为便携设备提供高效能和可靠性。

2. **低功率开关:**
在低功率开关应用中,如开关电源和 LED 驱动器,IRLML6344TR-VB 可以提供高效的开关性能。其低导通电阻和较高的漏极电流承载能力,使其能够有效地切换负载电流,同时减少功率损耗,适合用于需要高效率和可靠性的电源转换和控制电路。

3. **汽车电子:**
在汽车电子系统中,这款 MOSFET 可用于电源开关和负载控制应用。其 30V 的漏极-源极电压适合用于汽车中的低电压系统,如电动窗、中央锁和照明控制。IRLML6344TR-VB 提供了稳健的开关性能,能够在汽车环境中可靠运行。

4. **工业控制:**
在工业自动化和控制系统中,IRLML6344TR-VB 可以用于驱动继电器、小型电动机以及其他低功率负载。其高效的开关性能和耐用性确保在工业应用中能够提供稳定的控制,并减少能量损耗。

IRLML6344TR-VB MOSFET 的紧凑封装、高电流承载能力和低导通电阻使其在便携式设备、低功率开关、汽车电子和工业控制领域中表现出色,能够满足这些应用的高效开关和控制需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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