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IRLML6344GT-VB 产品详细

产品简介:

1. 产品简介:
IRLML6344GT-VB 是一款高效能单 N 沟道 MOSFET,封装形式为 SOT23-3。该 MOSFET 采用 Trench 技术,具有出色的电气性能,适用于中低电压应用。它的漏极-源极耐压(VDS)为 30V,栅极-源极耐压(VGS)为 ±20V,支持高达 6.5A 的电流。IRLML6344GT-VB 具有较低的导通电阻(RDS(ON)),分别为 33mΩ @ VGS=4.5V 和 30mΩ @ VGS=10V,使其在低电压和高开关频率的应用中表现出色。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 30V 20(±V) 1.7V 6.5A 30mΩ
2. 详细参数说明:
- **型号**: IRLML6344GT-VB
- **封装类型**: SOT23-3
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏极-源极耐压 (VDS)**: 30V
- **栅极-源极耐压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 33mΩ @ VGS=4.5V
- 30mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 6.5A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

3. 应用领域和模块:
- **便携式电子设备**:IRLML6344GT-VB 由于其紧凑的 SOT23-3 封装和低导通电阻,非常适合用于便携式电子设备中的功率开关应用。它能够在紧凑空间内有效控制电源开关,例如在手机、平板电脑或便携式充电器中使用,保证高效能和低功耗。

- **电池管理系统**:在电池管理系统中,该 MOSFET 可以用于控制电池的充放电过程。它的高电流能力(6.5A)和低导通电阻有助于提高系统的整体效率,特别是在低电压和高频率的充放电循环中。

- **小型电机驱动**:IRLML6344GT-VB 也适用于小型电机的驱动应用,例如玩具电机或小型风扇。它能够处理高达 6.5A 的电流,适合用于低电压小电机的开关和调速控制。

- **LED 驱动电路**:在 LED 驱动电路中,该 MOSFET 的低导通电阻和紧凑封装非常适合于需要高效能和小型化的应用。它能够有效控制 LED 的亮度和开关,尤其是在 LED 照明或指示灯模块中。

IRLML6344GT-VB 的小巧封装和优异性能,使其在便携式电子设备、电池管理系统、小型电机驱动以及 LED 驱动电路中非常有用,能够实现高效的功率开关和控制。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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