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HM7002-VB 产品详细

产品简介:

HM7002-VB MOSFET 产品简介

HM7002-VB 是一款采用 SOT23-3 封装的单通道 N 型 MOSFET,专为低功率应用设计。该器件具有 60V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压 (VGS),使其能够在多种电压条件下运行。其栅极阈值电压 (Vth) 为 1.7V,提供了良好的开关性能。凭借 Trench 技术,该 MOSFET 的导通电阻 (RDS(ON)) 分别为 3100mΩ(在 VGS=4.5V 时)和 2800mΩ(在 VGS=10V 时),能够承载 0.3A 的连续漏极电流 (ID),非常适合小功率信号开关和低电流控制电路。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
HM7002-VB 详细参数说明

- **封装类型**: SOT23-3
- **配置**: 单 N 型通道
- **漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3100mΩ @ VGS=4.5V
- 2800mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 0.3A
- **技术**: Trench 技术
- **工作温度范围**: -55°C 至 150°C

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

HM7002-VB MOSFET 适用于多种低功率和小电流的电子应用,尤其是在空间受限的设计中。以下是该产品的几个具体应用领域和模块示例:

1. **低功耗信号开关**: HM7002-VB 的高漏源电压和低导通电阻使其非常适合用于信号切换电路,如无线通信设备中的天线开关或音频切换电路。

2. **便携式电子设备**: 由于其小巧的封装和较低的导通电阻,该 MOSFET 可用于手机、智能手表等便携式设备的电源管理模块中,以延长电池寿命。

3. **电源控制模块**: 在一些需要小电流控制的电源模块中,HM7002-VB 可用于切换电路或作为保护电路中的关键组件,确保设备在过压或过流条件下的安全运行。

4. **微控制器接口电路**: 在需要控制较小电流负载的微控制器应用中,该 MOSFET 可以用于驱动小型继电器、LED 或其他低功耗元件,提供可靠的开关功能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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