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HM3018SR-VB 产品详细

产品简介:

一、产品简介

HM3018SR-VB 是一款高性能N沟道MOSFET,采用Trench技术,封装形式为SOT23-3。这款MOSFET专为中低电压应用设计,具备60V的漏源电压(V_DS)和0.3A的漏极电流(I_D)。它具有较低的导通电阻(R_DS(ON)),为3100mΩ @ V_GS = 4.5V和2800mΩ @ V_GS = 10V,适合处理中等电流的开关和放大应用。SOT23-3封装设计紧凑,适用于空间受限的电子设备和模块。HM3018SR-VB的高电流密度和低导通损耗使其在现代电子设备中广泛应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
二、详细参数说明

- **型号**:HM3018SR-VB
- **封装形式**:SOT23-3
- **配置**:单通道N沟道MOSFET
- **漏源电压 (V_DS)**:60V
- **栅源电压 (V_GS)**:±20V
- **阈值电压 (V_th)**:1.7V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**:
- 3100mΩ @ V_GS = 4.5V
- 2800mΩ @ V_GS = 10V
- **漏极电流 (I_D)**:0.3A
- **工艺技术**:Trench技术
- **封装尺寸**:SOT23-3,适用于紧凑空间
- **工作温度范围**:通常在-55°C至+175°C之间(具体请参考数据手册)
- **引脚配置**:SOT23-3标准引脚布局,适合中低功率应用

领域和模块应用:

三、应用领域及模块举例

HM3018SR-VB的设计特性使其在多个领域和模块中表现出色:

1. **消费电子设备**:
- **应用示例**:在智能手机、平板电脑和便携式电子设备中,HM3018SR-VB作为开关元件用于电源管理和功率分配。
- **特点**:其紧凑的SOT23-3封装适合空间受限的应用,而适中的导通电阻和电流能力能够高效地处理低功率电源管理任务。

2. **低功率电源转换**:
- **应用示例**:在低功率DC-DC转换器中,HM3018SR-VB用于开关控制,调节电源输出。
- **特点**:其低导通电阻和高电流密度能够提高转换效率,适合用于高效的电源转换电路。

3. **小型电机驱动**:
- **应用示例**:在小型电机驱动电路中,HM3018SR-VB用于控制电机的开关状态。
- **特点**:适中的漏源电压和漏极电流能力适合驱动小型电机,提供稳定的电流控制。

4. **LED驱动电路**:
- **应用示例**:在LED驱动电路中,HM3018SR-VB作为开关元件用于调节LED的亮度和开关状态。
- **特点**:其高电流密度和低导通电阻能够有效地控制LED驱动,提升光源效率。

5. **无线通信设备**:
- **应用示例**:在无线通信设备中的信号放大和开关模块中,HM3018SR-VB用于控制信号通路。
- **特点**:其高频响应能力和紧凑封装适合用于高频和高密度的通信电路。

6. **汽车电子**:
- **应用示例**:在汽车电子系统中,HM3018SR-VB用于小型开关和控制应用,例如控制车载小电机和传感器。
- **特点**:高耐压和稳定性能适合在汽车环境中使用,确保可靠的开关控制和长寿命。

HM3018SR-VB凭借其适中的电气性能和紧凑的封装,在各种中低功率应用中提供了高效可靠的解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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