产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOT23-3 |
Single-N |
60V |
20（±V） |
1.7V |
0.3A |
|
|
2800mΩ |
|
详细参数说明
- **封装 (Package)**: SOT23-3
- 小巧的 SOT23-3 封装，适合空间受限的应用。
- **配置 (Configuration)**: 单 N 沟道
- 单 N 沟道 MOSFET 配置适用于多种开关和放大应用。
- **漏源电压 (VDS)**: 60V
- 最大漏源电压为 60V，适合中等电压范围的应用。
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- 栅源电压范围为 ±20V，确保器件在不同栅极驱动条件下的稳定性。
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- 在 1.7V 的栅极电压下器件开始导通，适合低电压逻辑控制。
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3100mΩ @ VGS=4.5V
- 2800mΩ @ VGS=10V
- 导通电阻表明了器件在不同栅极电压下的电流流通能力。
- **最大漏极电流 (ID)**: 0.3A
- 最大连续漏极电流为 0.3A，适用于低电流应用。
- **技术 (Technology)**: 沟槽 (Trench)
- 沟槽技术提高了 MOSFET 的性能，降低了导通电阻，适合低功耗应用。
领域和模块应用：
适用领域和模块
ELM2N7002K-S-VB 主要用于以下领域和模块：
1. **消费电子**: 该 MOSFET 可用于智能手机、平板电脑和其他便携式设备中的电源管理电路，如电源开关和小型负载控制。
2. **工业控制**: 在自动化控制系统中，ELM2N7002K-S-VB 可以作为开关元件，控制低功率传感器和电磁阀等设备。
3. **家用电器**: 用于家用电器中的小型电动设备，如低功耗 LED 照明和电机控制模块，以提供可靠的开关功能。
4. **汽车电子**: 在车载电子系统中，该 MOSFET 可用于控制仪表盘上的指示灯、车内小型电机和其他低功耗组件，确保系统的高效运行。
ELM2N7002K-S-VB 由于其小巧的封装和优异的性能，适用于各种低功率和高效能的开关应用。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
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