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DMZ6005-VB 产品详细

产品简介:

一、DMZ6005-VB 产品简介

DMZ6005-VB 是一款采用 SOT23-3 封装的单 N 沟道 MOSFET,专为高压应用设计。该器件具有 650V 的漏源电压 (VDS) 和 ±30V 的栅源电压 (VGS) 范围。开启电压 (Vth) 为 3.5V,确保在适当的栅电压下能够稳定开启。DMZ6005-VB 的导通电阻 (RDS(ON)) 为 8400mΩ @ VGS=10V,适用于低电流负载的场合,其最大漏极电流 (ID) 为 1A。该器件采用 Plannar 技术,以提高其稳定性和可靠性,特别适合用于需要高耐压和高稳定性的应用中。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 650V 30(±V) 3.5V 1A 8400mΩ
二、DMZ6005-VB 详细参数说明

1. **封装类型**: SOT23-3
2. **配置**: 单 N 沟道
3. **漏源电压 (VDS)**: 650V
4. **栅源电压 (VGS)**: ±30V
5. **开启电压 (Vth)**: 3.5V
6. **导通电阻 (RDS(ON))**: 8400mΩ @ VGS = 10V
7. **漏极电流 (ID)**: 1A
8. **技术**: Plannar
9. **最大功耗 (PD)**: 0.6W
10. **工作温度范围**: -55°C 到 150°C

领域和模块应用:

三、应用领域和模块举例

DMZ6005-VB MOSFET 由于其高耐压和稳定性,广泛应用于以下领域:

1. **电源开关**:在高压电源开关应用中,DMZ6005-VB 能够承受高达 650V 的电压,适合用于电源模块中的开关功能,例如开关电源、逆变器和功率调节器。其高压耐受性确保了在高电压环境下的安全性和可靠性。

2. **LED 驱动器**:在 LED 驱动电路中,DMZ6005-VB 可以用作高压开关,提供稳定的电流控制,特别是在需要高耐压的场景下,如高功率 LED 照明系统中。

3. **功率管理模块**:该 MOSFET 也适用于功率管理模块,如 DC-DC 转换器和电池管理系统。其高漏源电压和较大的栅源电压范围使其在电压变化较大的应用中能够稳定工作。

4. **高压电路保护**:DMZ6005-VB 可以用作高压电路保护开关,在过电压或电流过载时保护电路组件不受损坏。其高压耐受性使其在保护电路中表现出色,确保设备的长期可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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