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DMN601K-VB 产品详细

产品简介:

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**DMN601K-VB** 是一款单通道 N-Channel MOSFET,采用紧凑的 SOT23-3 封装。这款 MOSFET 具有最大漏源电压 (VDS) 为 60V,栅源电压 (VGS) 最高支持 ±20V。其导通电阻 (RDS(ON)) 在 VGS = 10V 时为 2800mΩ,在 VGS = 4.5V 时为 3100mΩ。该器件支持最大 0.3A 的漏极电流,采用 Trench 技术,适用于低功率和空间受限的应用场景。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
详细参数说明

- **封装**: SOT23-3
- **配置**: 单一 N-Channel
- **漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3100mΩ @ VGS = 4.5V
- 2800mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 0.3A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

1. **低功率开关**: DMN601K-VB 适合用于低功率开关应用,如小型电源开关或信号开关。其紧凑的 SOT23-3 封装非常适合空间有限的电路板设计。

2. **电池保护**: 在电池管理系统中,该 MOSFET 可作为过流或过压保护开关,帮助确保电池的安全使用。其低导通电阻有助于减少功率损耗。

3. **消费电子**: DMN601K-VB 常用于各种消费类电子产品中,例如小型手持设备和便携式设备的电源管理,提供可靠的开关性能。

4. **信号开关**: 在信号开关应用中,这款 MOSFET 能有效控制低电流信号的开关操作,确保信号传输的稳定性。

5. **小型电机驱动**: 在小型电机驱动电路中,DMN601K-VB 可用于驱动低功率直流电机或步进电机,为电机控制系统提供高效的开关解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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