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CMN3414-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**CMN3414-VB** 是一款高性能单N沟道MOSFET,采用SOT23-3封装。它在20V的最大漏源电压(VDS)下工作,适用于低压开关和调节应用。该MOSFET的最大门源电压(VGS)为±12V,确保在各种电压条件下稳定工作。门阈值电压(Vth)范围为0.5~1.5V,使其在较低的门源电压下就能开启。CMN3414-VB 采用沟槽(Trench)技术,具有优良的导通性能,在VGS=2.5V时的导通电阻为42mΩ,而在VGS=4.5V时则降至28mΩ。其最大漏极电流(ID)为6A,适合在需要高电流和低电阻的应用中使用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 20V 12(±V) 0.5~1.5V 6A 42mΩ
详细参数说明

- **封装类型**: SOT23-3
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 20V
- **最大门源电压 (VGS)**: ±12V
- **门阈值电压 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 42mΩ @ VGS = 2.5V
- 28mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏极电流 (ID)**: 6A
- **技术**: 沟槽(Trench)

领域和模块应用:

应用领域和模块

**CMN3414-VB** 的设计使其适用于多种领域和模块,以下是一些具体应用示例:

1. **低电压开关**:由于其较低的导通电阻和适中的漏源电压,CMN3414-VB 适合用于低电压开关应用,如在电源管理电路中开关负载或切换电路路径。其低RDS(ON) 值有助于降低开关损耗,提高系统效率。

2. **功率管理**:在功率管理模块中,CMN3414-VB 可以作为高效的开关元件使用。它能够处理较高的电流,同时保持较低的导通电阻,这对于提高功率转换效率至关重要,特别是在电源适配器和DC-DC转换器中。

3. **小型电机控制**:在小型电机控制应用中,这款MOSFET 可用于驱动低电压电机或执行器。其较高的ID和低导通电阻使其能够有效地控制小型电机的启动和运行,确保平稳操作。

4. **移动设备**:在移动设备如智能手机和平板电脑中,CMN3414-VB 可用于电源开关和负载切换应用。它的紧凑封装和低导通电阻适合于空间有限且需要高效电源管理的设备。

5. **消费电子**:在各种消费电子产品中,如家电和便携式电子设备,CMN3414-VB 可以作为开关元件用于电源管理和控制。其高电流能力和低功耗特性使其适合在各种应用中提高设备的性能和可靠性。

综上所述,**CMN3414-VB** 在低电压开关、电源管理、小型电机控制、移动设备和消费电子等领域中具有广泛的应用,能够提供稳定、低阻抗的开关性能,并支持高效的电流处理。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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