推广型号

您现在的位置 > 首页 > 推广型号

CMN3400-VB 产品详细

产品简介:

CMN3400-VB MOSFET 产品简介

CMN3400-VB 是一款高效的单N沟道MOSFET,采用SOT23-3封装,适合低电压、高开关速度的应用。该MOSFET设计用于高效能电源管理和开关操作,利用Trench技术提供了优秀的电流处理能力和低导通电阻。这使其在各种电子设备中,尤其是在需要高性能和紧凑设计的场合中表现出色。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 30V 20(±V) 1.7V 6.5A 30mΩ
CMN3400-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装类型**:SOT23-3
- **配置**:单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**:30V
- **栅源极电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 33mΩ @ VGS=4.5V
- 30mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:6.5A
- **技术**:Trench

领域和模块应用:


### CMN3400-VB MOSFET 应用领域和模块

#### 电源管理
CMN3400-VB 是电源管理应用中的理想选择,尤其适用于DC-DC转换器和电源开关。其低RDS(ON)值确保了高效的功率传输和低功耗,使其在高频开关操作中表现优异。

#### 小型电子设备
由于其紧凑的SOT23-3封装,CMN3400-VB 适合用于空间有限的电子设备,如智能手机、便携式设备和消费电子产品。在这些设备中,它的高开关速度和低导通电阻有助于提高系统的整体性能和电池寿命。

#### 开关电源
在低电压开关电源应用中,CMN3400-VB 提供了高效的开关性能。其低导通电阻和高漏极电流处理能力使其适合用于高效的电源转换和负载开关,提升了电源的效率和稳定性。

#### 电机驱动
CMN3400-VB 也可用于低电压电机驱动应用。在电机驱动系统中,其高开关效率和低功耗特性有助于提高电机运行的效率和可靠性,特别是在需要高开关频率和低功耗的应用中。

总结来说,CMN3400-VB MOSFET 的低电压、高开关效率和紧凑封装使其在电源管理、小型电子设备、开关电源和电机驱动等应用中表现出色。其Trench技术确保了高效的电流处理能力和稳定的性能,适合现代电子产品和系统。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
在线咨询
电话咨询
微信咨询

查询相关型号报价

怎么申请免费打样

现在有优惠活动么