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CMN2328AM-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**CMN2328AM-VB** 是一款高性能单N沟道MOSFET,封装形式为SOT23-3。该MOSFET能够在最大漏源电压(VDS)为100V的条件下工作,适用于高电压应用。最大门源电压(VGS)为±20V,保证了MOSFET在不同电压条件下的稳定性。门阈值电压(Vth)为1.5V,使得该MOSFET可以在较低的门源电压下实现开启。CMN2328AM-VB采用了沟槽(Trench)技术,提供了合理的导通电阻,在VGS=4.5V时为260mΩ,在VGS=10V时为240mΩ,其最大漏极电流(ID)为2A。该MOSFET特别适合用于高电压开关和电源管理应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 100V 20(±V) 1.5V 2A 240mΩ
详细参数说明

- **封装类型**: SOT23-3
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 100V
- **最大门源电压 (VGS)**: ±20V
- **门阈值电压 (Vth)**: 1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 260mΩ @ VGS = 4.5V
- 240mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 2A
- **技术**: 沟槽(Trench)

领域和模块应用:

应用领域和模块

**CMN2328AM-VB** 的特性使其在多个领域和模块中具有广泛的应用。以下是一些具体应用示例:

1. **高电压开关**:在高电压开关应用中,CMN2328AM-VB 可用作高电压环境下的开关元件,能够在最大100V的电压下稳定工作。其较高的VDS和低RDS(ON)值使其适合用于需要高电压开关的场合,如电源管理和功率控制系统。

2. **电源管理系统**:在电源管理系统中,该MOSFET 可以用于高电压电源的开关和调节。它的低导通电阻和高电流处理能力有助于提高电源的效率和稳定性,尤其是在高电压输入的应用中。

3. **工业控制**:在工业控制系统中,CMN2328AM-VB 可用于控制和保护高电压负载,例如工业电机和高电压开关设备。它的高耐压能力和稳定性能确保了系统的可靠性和安全性。

4. **汽车电子**:在汽车电子系统中,这款MOSFET 可以用于高电压的开关应用,如电源管理模块和电动汽车驱动系统。其稳定性和高电压处理能力使其非常适合汽车环境中的应用。

5. **通信设备**:在通信设备中,CMN2328AM-VB 可用于高电压信号开关和调节电路。它能够在高电压环境下保持良好的性能,适合用于需要高电压耐受的通信模块。

综上所述,**CMN2328AM-VB** 在高电压开关、工业控制、电源管理以及汽车电子等多个领域中具有广泛的应用,能够提供稳定、高效的电流控制和开关性能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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