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CMN2310-VB 产品详细

产品简介:

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CMN2310-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET,封装形式为SOT23-3。该器件采用Trench技术,具有高耐压、低导通电阻和优良的开关性能。其最大漏源电压为60V,最大栅源电压为±20V,最大漏极电流为4A。在VGS=4.5V时,其导通电阻为86mΩ,而在VGS=10V时为75mΩ。CMN2310-VB的设计使其在各种高效电源和开关应用中表现出色,适用于对开关速度和导通损耗有高要求的电路。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 4A 75mΩ
详细参数说明

- **型号**: CMN2310-VB
- **封装**: SOT23-3
- **配置**: 单N沟道
- **最大漏源电压(VDS)**: 60V
- **最大栅源电压(VGS)**: ±20V
- **阈值电压(Vth)**: 1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 86mΩ @ VGS=4.5V
- 75mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流(ID)**: 4A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块

CMN2310-VB凭借其高耐压和低导通电阻的特性,适用于多个领域和模块,包括:

1. **电源管理系统**:
- **DC-DC转换器**:在DC-DC转换器中,CMN2310-VB可作为高效开关元件,提升电源转换效率,减少能量损耗。
- **电源开关**:用于电源开关应用中,提供稳定可靠的开关性能,适用于各种小型电子设备和消费电子产品。

2. **负载开关**:
- **低功耗负载开关**:在低功耗负载开关应用中,CMN2310-VB的低导通电阻能够有效降低功耗,适用于移动设备和便携式电子产品。
- **保护电路**:在保护电路中,CMN2310-VB能够快速响应负载变化,保护系统免受过流和过压影响。

3. **开关电路**:
- **小型开关电路**:CMN2310-VB适用于小型开关电路,如开关电源和信号开关,提供快速开关和低损耗。
- **脉冲电路**:在脉冲电路中,CMN2310-VB可用于高频开关和脉冲控制,确保电路的稳定性和高效性。

4. **通信设备**:
- **信号调节**:在通信设备中,CMN2310-VB能够作为信号调节开关,保证信号的高效传输和处理。
- **功率放大器**:在功率放大器电路中,CMN2310-VB的高耐压特性使其能够处理较高的功率,适用于各种通信和广播应用。

CMN2310-VB凭借其优异的电气性能和高耐压特性,适合在电源管理、负载开关、开关电路和通信设备等领域中的高效应用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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