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CMN2302M-VB 产品详细

产品简介:

CMN2302M-VB MOSFET 产品简介

**CMN2302M-VB** 是一款小型 N-Channel MOSFET,采用 SOT23-3 封装,专为低压应用设计。它利用 Trench 技术,支持高达 20V 的漏源电压(VDS)和 ±20V 的栅源电压(VGS)。该 MOSFET 的门限电压(Vth)在 0.5V 到 1.5V 之间,在 2.5V 的栅源电压下具有 25mΩ 的导通电阻(RDS(ON)),在 4.5V 的栅源电压下,RDS(ON) 为 20mΩ,最大漏极电流(ID)为 6A。其设计适用于需要小型封装和低导通电阻的低压电路。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 20V 20(±V) 0.5~1.5V 6A 25mΩ
CMN2302M-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装**: SOT23-3
- **配置**: 单个 N-Channel
- **漏源电压 (VDS)**: 20V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **门限电压 (Vth)**: 0.5V ~ 1.5V
- **RDS(ON)**:
- 25mΩ @ VGS = 2.5V
- 20mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏极电流 (ID)**: 6A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

CMN2302M-VB MOSFET 的应用示例

1. **小型电源开关**:
- 在小型电源开关应用中,CMN2302M-VB MOSFET 可以用于电源管理电路的开关控制。其低导通电阻和小巧封装使其适合用于便携设备和小型电子产品中的电源开关。

2. **低压 DC-DC 转换器**:
- 在低压 DC-DC 转换器中,该 MOSFET 可用于开关和调节电源转换过程。其高效的开关性能和低导通电阻可以提高转换器的效率,减少功耗和热量。

3. **便携电子设备**:
- 在便携式电子设备(如智能手机、平板电脑)中,CMN2302M-VB 可以用于电源管理和负载开关。其小巧的 SOT23-3 封装适合于空间有限的设备,并且其低导通电阻有助于提高设备的能效。

4. **LED 驱动电路**:
- 在 LED 驱动电路中,该 MOSFET 可以用于开关和调节 LED 的亮度。其低导通电阻和高电流能力使其能够高效驱动 LED,并提供稳定的亮度控制。

5. **低功耗电路保护**:
- 在低功耗电路的保护应用中,CMN2302M-VB 可用于过流保护和电路隔离。其高效的开关能力和低导通电阻有助于提高电路的可靠性和安全性。

CMN2302M-VB MOSFET 的设计使其在低压应用中表现优异,提供高效的开关性能和较低的功耗。其小型封装和高电流能力使其适合各种紧凑型电子设备和高效电源管理系统。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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