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CHT170PT-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**CHT170PT-VB** 是一种高效单N沟道MOSFET,采用紧凑的SOT23-3封装。该MOSFET的漏源电压(VDS)为60V,最大门源电压(VGS)为±20V,适用于中低电压的电子应用。其门阈值电压(Vth)为1.7V,能够在较低的门电压下稳定开启。CHT170PT-VB 采用了先进的沟槽(Trench)技术,具有相对较高的导通电阻(RDS(ON)),在VGS=4.5V时为3100mΩ,在VGS=10V时为2800mΩ。其最大漏极电流(ID)为0.3A,特别适合于低电流、高压应用中的开关和控制功能。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
详细参数说明

- **封装类型**: SOT23-3
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 60V
- **最大门源电压 (VGS)**: ±20V
- **门阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3100mΩ @ VGS = 4.5V
- 2800mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 0.3A
- **技术**: 沟槽(Trench)

领域和模块应用:

应用领域和模块

**CHT170PT-VB** 的设计特点使其适用于多种低功率电子应用,以下是一些具体应用示例:

1. **便携式设备**:在便携式设备如智能手机、无线耳机和便携式传感器中,CHT170PT-VB 由于其小型封装和低功耗特性,非常适合作为电源管理和控制开关,帮助提高设备的能效和延长电池寿命。

2. **低功率开关电路**:该MOSFET 适用于低功率开关电路,例如用于电池供电的小型电路板。在这些应用中,CHT170PT-VB 的导通电阻虽较高,但仍能提供稳定的开关性能和足够的电流处理能力。

3. **信号开关**:在信号开关应用中,CHT170PT-VB 可以用作信号路径中的开关元件,如在模拟信号处理和信号调节电路中。其低门阈值电压和高VDS能力使其能够有效控制信号的开关状态。

4. **消费电子产品**:在消费电子产品如遥控器、家用电器和玩具中,CHT170PT-VB 可用作控制电源开关或负载开关。其紧凑的封装和稳定的性能使其适合各种低功耗和小型化应用。

5. **低功率电源保护**:在低功率电源保护电路中,CHT170PT-VB 可以用来保护电路免受过流或过压影响,提供稳定的开关和保护功能。

通过以上应用示例,可以看出**CHT170PT-VB** 在处理低电流和高电压的开关应用中表现稳定,适合用于各种需要小型化和高效能的电子设备。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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