VBsemi 的 VBP115MR04 是一款单 N 型场效应晶体管，具有 1500V 的漏极-源极电压（VDS）、30V 的栅极-源极电压（VGS）、3.5V 的阈值电压（Vth），以及 4A 的漏极电流（ID）。采用 Plannar 技术制造，封装为 TO247。
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| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO247 | Single-N | 1500V | 30（±V） | 3.5V | 4A | 4500 (mΩ) | Plannar |
详细参数说明：
- 品牌：VBsemi
- 产品型号：VBP115MR04
- 类型：单 N 型场效应晶体管
- VDS（漏极-源极电压）：1500V
- VGS（栅极-源极电压）：30V
- Vth（阈值电压）：3.5V
- VGS=10V 时的导通电阻：4500 mΩ
- 最大漏极电流（ID）：4A
- 技术：Plannar
- 封装：TO247
应用示例：
1. 高压直流输电系统：用于直流输电系统中的开关和控制装置。
2. 电力变流器：适用于电力系统中的变流器和逆变器单元。
3. 工业高压设备：用于工业设备中的高压电源管理和控制。
4. 汽车电动化：适用于电动汽车和混合动力汽车中的电动驱动系统。
5. 风力发电控制器：用于风力发电系统中的功率调节和转换模块。
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