VBsemi的VBM165R20SE是一款单N沟道场效应晶体管（Single N）产品。其主要特点包括650V的漏极-源极电压（VDS），30V的门-源电压（VGS），3.5V的阈值电压（Vth），以及20A的漏极电流（ID）。采用SJ_Deep-Trench技术，封装为TO220。
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| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO220 | Single-N | 650V | 30（±V） | 3.5V | 20A | 150(mΩ) | SJ_Deep-Trench |
- 漏极-源极电压（VDS）：650V
- 门-源电压（VGS）：±30V
- 阈值电压（Vth）：3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻（mΩ）：150
- 漏极电流（ID）：20A
- 技术：SJ_Deep-Trench
- 封装：TO220
1. 电源开关模块：由于VBM165R20SE具有适中的漏极电流和较低的导通电阻，适用于电源开关模块，如电源适配器、电池充电器等。
2. 照明驱动器：TO220封装适合于一些低功率密度应用，VBM165R20SE可用于LED照明驱动器的功率开关模块，提供高效率和可靠性的照明解决方案。
3. 汽车电子系统：其高耐压和适中的漏极电流特性使其适用于汽车电子系统中的功率开关模块，如电动汽车的电动驱动系统、电池管理系统等。
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