产品简介：
VBM165R08 是由 VBsemi 生产的单 N 沟道 MOSFET。该产品适用于需要高性能和可靠性的各种应用场合。该 MOSFET 具有 650V 的 VDS 评级，可承受连续漏极电流（ID）为 8A。采用平面工艺，确保在不同环境中的高效运行和稳健性。
详细参数说明：
- VDS(V)：漏极-源极电压 - 650V
- VGS(±V)：栅极-源极电压（±） - 30V
- Vth(V)：阈值电压 - 3.5V
- VGS=4.5V(mΩ)：在 VGS=4.5V 时的导通电阻 - 480 mΩ
- VGS=10V(mΩ)：在 VGS=10V 时的导通电阻 - 384 mΩ
- ID (A)：连续漏极电流 - 8A
- Technology：平面工艺
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| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO220 | Single-N | 650V | 30（±V） | 3.5V | 8A | 480 (mΩ) | 384 (mΩ) | Plannar |
产品型号：VBM165R08
品牌：VBsemi
参数：Single N
VDS(V)：650
VGS(±V)：30
Vth(V)：3.5
VGS=4.5V(mΩ)：480
VGS=10V(mΩ)：384
ID (A)：8
Technology：Plannar
封装：TO220
应用场景：
VBM165R08 MOSFET 由于其多功能性能和规格，适用于各个领域和模块。一些示例包括：
- 电源：可用于工业设备、消费类电子产品和可再生能源系统的电源单元。
- 电机控制：适用于电动汽车、工业机械和机器人等电机控制应用。
- 照明系统：适用于室内外照明装置中的 LED 驱动器和照明控制电路。
- 开关转换器：用于直流-直流转换器、降压-升压转换器和电压调节器等高效的电源管理。
- 汽车电子：应用包括电动汽车充电系统、电池管理和汽车照明控制等。
VBM165R08 MOSFET 在各个领域提供可靠和高效的运行，是电子设计工程师的多功能选择。
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