VBsemi VBL165R25SE 是一款单N沟道功率场效应晶体管(MOSFET),采用 SJ_Deep-Trench 技术,适用于高性能功率电子应用。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS),25A的漏极电流(ID),以及30V的栅极-源极电压(VGS)。封装为TO263。
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| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp(V) | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO263 | Single-N | 650V | 30(±V) | 3.5V | 25A | 115(mΩ) | SJ_Deep-Trench |
详细参数说明:
- 产品型号:VBL165R25SE
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道功率场效应晶体管(MOSFET)
- 技术:SJ_Deep-Trench
- 漏极-源极电压(VDS):650V
- 栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 栅极-源极电压为10V时的导通电阻(mΩ):115mΩ
- 漏极电流(ID):25A
- 封装:TO263
该产品适用于以下领域和模块:
1. 电源管理模块:由于具有较高的漏极-源极电压和漏极电流能力,可用于开关电源、逆变器和DC-DC转换器等电源管理模块中。
2. 电动汽车充电桩:具有较高的电压和电流承受能力,适用于电动汽车充电桩中的功率调节和开关控制。
3. 工业电机驱动:可用于工业电机驱动系统中的功率开关和电流控制,提高系统的效率和性能。
4. 太阳能逆变器:用于太阳能光伏系统中的逆变器,实现太阳能电能向交流电能的转换,提供给家庭和工业用电系统。
这些是仅举几例,该产品还可应用于其他需要高性能功率开关的领域和模块中。
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