VBL165R11SE是VBsemi品牌推出的单N沟道场效应晶体管，具有650V的漏极-源极电压（VDS）、30V的门源极电压（VGS）、3.5V的阈值电压（Vth）。该产品采用SJ_Deep-Trench技术制造，具有优异的性能和稳定性。封装形式为TO263。
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| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO263 | Single-N | 650V | 30（±V） | 3.5V | 11A | 290(mΩ) | SJ_Deep-Trench |
详细参数说明：
- 漏极-源极电压（VDS）：650V
- 门源极电压（VGS）：30V
- 阈值电压（Vth）：3.5V
- VGS=10V时的导通电阻（mΩ）：290
- 最大漏极电流（ID）：11A
- 技术：SJ_Deep-Trench
1. 电动汽车电机控制模块：由于VBL165R11SE具有较高的漏极-源极电压和导通电流，适用于电动汽车电机控制模块，实现对电动汽车动力输出的精确控制和调节。
2. 变频空调模块：该产品适用于变频空调模块中的功率开关，实现对变频空调的功率调节和控制，提高空调系统的能效。
3. 电动工具驱动器：VBL165R11SE可用于电动工具驱动器中的功率开关模块，如电动钻、电动锯等，实现对电动工具的高效驱动和控制。
4. 太阳能逆变器：该产品适用于太阳能逆变器中的功率开关模块，能够实现太阳能发电系统的稳定运行和高效转换。
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