VBGQT1803是一款单N型场效应晶体管,具有高压容忍度和大电流承受能力,适用于高功率和高频率的电子电路中的功率控制和开关应用。其特点包括高压容忍度、低阈值电压和低漏电阻,使其适用于多种领域和模块。
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| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp(V) | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TOLL | Single-N | 80V | 20(±V) | 3.5V | 250A | 2.65(mΩ) | SGT |
产品型号: VBGQT1803
品牌: VBsemi
- 类型: Single N
- 最大漏极-源极电压(VDS): 80V
- 最大栅极-源极电压(VGS): ±20V
- 阈值电压(Vth): 3.5V
- VGS=10V时的漏极-源极电阻: 2.65 mΩ
- 最大漏极电流(ID): 250A
- 技术: SGT
- 封装: TOLL
举例说明适用领域和模块:
1. 电动汽车驱动系统: 由于VBGQT1803具有80V的最大漏极-源极电压和高达250A的最大漏极电流,适合用于设计电动汽车驱动系统的功率开关模块,实现高效能和可靠性的电动汽车动力传输。
2. 高功率电源模块: 由于其低阈值电压和低漏电阻,VBGQT1803适用于设计高功率电源模块,如工业用途的电源适配器或电力电子设备中的直流-直流变换器。
3. 工业自动化模块: 作为场效应晶体管,VBGQT1803具有快速的开关速度和较低的漏电阻,适合用于工业自动化系统中的各种模块,例如电机控制、电磁阀驱动和照明系统控制。
4. 高频功率放大器模块: 由于其高频率特性和大电流承受能力,VBGQT1803可用于设计高频功率放大器模块,如通信系统中的射频功率放大器或雷达系统中的信号发射模块。
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