VBGL1803是一款高性能的单极N沟道MOSFET,具有高电压容限、低漏电流和低导通电阻,适用于各种高功率和高频率电源开关和控制应用。其可靠性和稳定性使其在多个领域和模块中广泛应用。
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| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp(V) | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO263 | Single-N | 80V | 20(±V) | 3V | 180A | 3.1(mΩ) | SGT |
产品型号: VBGL1803
品牌: VBsemi
参数:
- 结构类型: 单极N沟道MOSFET
- 额定漏极-源极电压(VDS): 80V
- 额定栅极-源极电压(VGS): ±20V
- 阈值电压(Vth): 3V
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ): 3.1mΩ
- 额定漏极电流(ID): 150A
- 技术: SGT
- 封装: TO263
举例说明:
1. 领域: 电动汽车
- 模块: 电动汽车驱动模块
- 应用: 在电动汽车的驱动模块中,VBGL1803可用于电动机控制和电池管理。其高电压容限和低导通电阻可提供稳定的电动汽车性能,并实现高效能的动力输出。
2. 领域: 工业电源
- 模块: 高功率工业电源模块
- 应用: 在工业电源系统中,VBGL1803可用于高功率开关电源的控制和调节。其高漏极电流容限和低漏电流特性使其适用于工业设备和机械的供电系统,确保稳定可靠的电源输出。
3. 领域: 太阳能逆变器
- 模块: 太阳能逆变器模块
- 应用: 在太阳能逆变器中,VBGL1803可用于太阳能电池板到电网的能量转换控制。其低导通电阻和高漏极电流容限可提供高效的太阳能电能转换效率,并确保逆变器的稳定运行。
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