VBsemi的VBFB165R08SE是一款单N沟道场效应晶体管（Single N）产品。其主要特点包括650V的漏极-源极电压（VDS），30V的门-源电压（VGS），3.5V的阈值电压（Vth），以及8A的漏极电流（ID）。采用SJ_Deep-Trench技术，封装为TO251。
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| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO251 | Single-N | 650V | 30（±V） | 3.5V | 8A | 460(mΩ) | SJ_Deep-Trench |
详细参数说明：
- 漏极-源极电压（VDS）：650V
- 门-源电压（VGS）：±30V
- 阈值电压（Vth）：3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻（mΩ）：460
- 漏极电流（ID）：8A
- 技术：SJ_Deep-Trench
- 封装：TO251
1. 低功率电源模块：由于VBFB165R08SE具有适中的漏极电流和较低的导通电阻，适用于低功率电源模块的设计，如家用电源适配器、小型LED照明驱动器等。
2. 工业控制系统：在一些工业控制系统中，需要对传感器、执行器等进行电力驱动，VBFB165R08SE可以作为功率开关模块，确保系统的稳定性和可靠性。
3. 汽车电子模块：TO251封装适合于汽车电子模块的应用，VBFB165R08SE可用于汽车电子系统中的功率开关模块，如电动窗控制模块、车载充电器等。
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