一、VBBD4290 产品简介
VBBD4290 是一款高性能单 P 沟道 MOSFET，采用 DFN8(3x2)-B 封装。该 MOSFET 设计用于高效的开关应用，具有 -20V 的漏源电压 (VDS) 和 ±8V 的栅源电压 (VGS) 规格。VBBD4290 采用先进的 Trench 技术，阈值电压 (Vth) 为 -0.8V。在 4.5V 的栅源电压下，其导通电阻为 100mΩ，而在 10V 的栅源电压下，导通电阻降低至 83mΩ。该 MOSFET 支持高达 -4A 的连续漏极电流 (ID)，特别适合于需要高效开关和低导通损耗的应用场景。
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| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DFN8(3X2)-B | Single | -20V | 8V（±V） | -0.8V | -4A | 100(mΩ) | 83(mΩ) | Trench |
二、VBBD4290 详细参数说明
| 参数 | 值 | 单位 |
|------------------------|--------------------------|--------|
| 产品型号 | VBBD4290 | |
| 封装 | DFN8(3x2)-B | |
| 配置 | 单 P 沟道 | |
| 漏源电压 (VDS) | -20 | V |
| 栅源电压 (VGS) | ±8 | V |
| 阈值电压 (Vth) | -0.8 | V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 100 (VGS = 4.5V) | mΩ |
| | 83 (VGS = 10V) | mΩ |
| 连续漏极电流 (ID) | -4 | A |
| 瞬时脉冲漏极电流 (ID(pulse)) | -16 | A |
| 最大功耗 (Ptot) | 2.5 | W |
| 工作温度范围 | -55 至 +150 | °C |
| 存储温度范围 | -55 至 +150 | °C |
| 技术 | Trench | |
三、应用领域和模块示例
VBBD4290 的设计使其在多个领域和应用中表现出色，特别是在需要高效开关和低导通电阻的应用中。以下是几个具体的应用示例：
1. **电源管理**：在低电压开关电源和 DC-DC 转换器中，VBBD4290 能够作为高效的开关元件。其低导通电阻和适中的电流处理能力使其非常适合用于提高电源转换效率和减小功率损耗。
2. **便携式设备**：由于其小巧的 DFN8(3x2)-B 封装，VBBD4290 非常适合用于便携式电子设备中的开关应用。例如，智能手机、平板电脑和便携式充电器中的电源管理模块，可以利用该 MOSFET 的高效能和小体积优势。
3. **低功耗电动机驱动**：在一些低功耗电动机驱动系统中，VBBD4290 可以提供稳定的开关性能，适用于小型电动工具和家用电器的电机控制，保证电动机的平稳运行和高效能。
4. **电池管理系统**：在电池管理系统 (BMS) 中，VBBD4290 能够提供电池的开关和保护功能。其低导通电阻和高开关效率有助于提高电池系统的整体性能和寿命，特别是在移动设备和电动车辆的电池管理中。
这些应用示例展示了 VBBD4290 在需要高效开关和低导通损耗的场景中的关键作用，特别是在便携式电子设备和低功耗电动机驱动系统中。
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