产品简介:
应用简介:
2N7002-VB是一款N沟道MOSFET晶体管,适用于多种电子设备和应用领域,具有低电压和小电流的特点。
2N7002-VB是一种多功能的N沟道MOSFET晶体管,适用于多种低电压、小电流应用,以提供卓越的性能和可靠性。它特别适用于需要信号开关和电压级移的应用。
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产品参数:
VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
SOT23-3 |
Single-N |
60V |
±20V |
1.7V |
0.3A |
|
3100(mΩ) |
2800(mΩ) |
|
型号:2N7002-VB
丝印:VB162K
品牌:VBsemi
参数说明:
- N沟道
- 额定电压:60V
- 最大电流:0.3A
- 静态导通电阻(RDS(ON)):2800mΩ@10V, 3000mΩ@4.5V, ±20Vgs(±V)
- 阈值电压(Vth):1.6V
- 封装类型:SOT23-3
领域和模块应用:
以下是一些可能的应用领域:
1. 信号开关:2N7002-VB可用于低电压信号开关,如用于电子开关、传感器接口和信号处理电路。
2. 电源开关:虽然它的电流处理能力有限,但在一些小功率电源开关中也可以使用,适用于便携式设备、遥控器等。
3. 电压级移:这款MOSFET可用于电压级移电路,用于将信号从一个电压水平转移到另一个,适用于I2C和SPI通信。
4. 低功耗应用:由于其低电流和低电压特性,2N7002-VB适合用于低功耗电子设备,如电池供电的传感器和嵌入式系统。
5. 自动控制系统:它可以用于自动控制系统中的信号处理和开关功能,如温度控制、照明控制和电动门控制。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持:
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