TP0101T-T1-E3-VB - VBsemi MOS管制造商

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TP0101T-T1-E3-VB是一款P-Channel沟道的SOT23-3封装场效应晶体管，适用于多种电子设备和模块，

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SOT23-3	Single-P-Channel	-20V	12（±V）	-0.8V	-4A	80（mΩ）	65(mΩ)	60(mΩ)

详细参数说明：
- 产品型号：TP0101T-T1-E3-VB
- 丝印：VB2290
- 品牌：VBsemi
- 封装：SOT23-3
- 沟道类型：P—Channel
- 最大工作电压：-20V
- 最大工作电流：-4A
- 沟道内阻：RDS(ON)=80（mΩ）@VGS=2.5V、65(mΩ)@VGS=4.5V、60(mΩ)@VGS=10V；
VGS=12V
- 阈值电压：Vth=-0.81V

领域和模块应用：

1. **电源管理模块：** 由于其负向工作电压和适中的沟道内阻，TP0101T-T1-E3-VB适用于负电源管理、开关和调节模块，提高电源管理系统的效率和可靠性。

2. **负载开关：** 在需要实现负载开关的电路中，TP0101T-T1-E3-VB可用于实现快速、精确的负载切换操作，保持系统稳定。

3. **电池保护模块：** 由于其P-Channel设计，可用于电池保护电路，防止电池过放电。

4. **LED照明系统：** 可用于负电源LED照明系统的电流控制和调节，确保稳定的亮度。

请注意，具体的应用需要结合电路设计和系统要求进行详细评估。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您

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