GE2301-VB - VBsemi MOS管制造商

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GE2301-VB是一款P—Channel沟道的SOT23-3封装MOSFET。其特性包括较低的导通电阻（RDS(ON)）和适度的最大电流。适用于需要P—Channel MOSFET的电路设计

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SOT23-3	Single-P-Channel	-20V	12（±V）	-0.8V	-4A	80（mΩ）	65(mΩ)	60(mΩ)

**详细参数说明：**
- 产品型号: GE2301-VB
- 品牌: VBsemi
- 丝印: VB2290
- 封装: SOT23-3
- 沟道类型: P—Channel
- 最大耐压: -20V
- 最大电流: -4A
- RDS(ON): 80（mΩ）@VGS=2.5V、65(mΩ)@VGS=4.5V、60(mΩ)@VGS=10V；
VGS=12V
- 阈值电压 (Vth): -0.81V

领域和模块应用：

1. **电源管理模块：** 由于其负责电流的能力和低导通电阻，可用于电源管理模块，提供高效能的功率开关控制。

2. **信号放大器：** 在需要P—Channel沟道的放大器电路中，GE2301-VB能够提供稳定的性能，适合信号放大应用。

3. **电流控制模块：** 由于其低阻抗和负载调整能力，可用于电流控制模块，确保电流稳定。

4. **电池管理系统：** 在需要高度可控性和低功耗的电池管理系统中，GE2301-VB可以发挥其优势。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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