产品简介：
这种型号的P沟道MOSFET适用于多种领域的电子设备和模块，以满足功率开关和电源管理的需求，特别是需要处理负电压电源的应用。由于其低漏极-源极电阻，适用于高功率应用。
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产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOT23-3 |
Single-P-Channel |
-20V |
12（±V） |
-0.8V |
-4A |
80（mΩ） |
65(mΩ) |
60(mΩ) |
|
参数: P沟道, -20V, -4A, RDS(ON) 65(mΩ)、80（mΩ）@VGS=2.5V、60(mΩ)@VGS=10V； @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V, 12Vgs (±V); -0.81Vth (V)
封装: SOT23-3
领域和模块应用：
应用简介：
这种型号的P沟道MOSFET通常用于各种电源管理和开关应用，包括但不限于以下领域和模块：
1. 电源开关：这种MOSFET可用于电源开关模块，例如DC-DC转换器，以实现高效的电能转换。
2. 电池管理：它可用于电池保护电路，以控制电池充放电和防止过放电。
3. 电源逆变器：在太阳能逆变器和UPS（不间断电源）中，P沟道MOSFET可用于控制电能的流向。
4. 电源选择和开关：它可以用于电源选择器和电源开关，以在不同电源之间切换。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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