變頻器應用方案

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變頻器應用方案

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在現代工業中,變頻器被廣泛應用於控制電動馬達的轉速和運作。 它們可以調節馬達的速度和扭矩,從而實現能源節約、精確控制和提高系統效率。 VBsemi作為領先的MOSFET廠商,為變頻器應用提供了可靠的解決方案。


**VBsemi變頻器應用方案中的MOSFET介紹**


在變頻器中,MOSFET扮演關鍵的角色,用於實現功率開關和功率放大。 VBsemi提供的MOSFET具有以下特點:


1. **高效能**: VBsemi的MOSFET具有低導通和開關損耗,以及快速的開關速度,可實現高效能轉換和快速反應的系統控制。


2. **低開態電阻**: 低開態電阻降低了功率損耗,並提高了系統效率,使得變頻器在各種工作條件下都能保持穩定性能。


3. **可靠性**: VBsemi的MOSFET經過嚴格的可靠性測試,具有優異的耐壓和耐溫特性,能夠在惡劣的工作環境下長時間穩定運作。


4. **高整合度**: 部分VBsemi MOSFET產品採用了先進的封裝技術,具有高度整合度,可降低系統的體積和成本,提高系統的可靠性和穩定性。


綜上所述,VBsemi的MOSFET產品為變頻器應用提供了可靠、高效的解決方案,協助使用者實現能源節約、精確控制和提高系統效率的目標。

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MOSFET型号推荐

Part Number Package Configuration Vds V Vgs V Vth(v)typ IdA Rds(on)
10V(mΩ)
Rds(on)
4.5V(mΩ)
Rds(on)
2.5V(mΩ)
Rds(on)
1.8V(mΩ)
Qg(nC) Pd25℃W
VBQA165R05S DFN8(5X6) Single-N 650V 30(±V) 3.5V 5A 1000(mΩ)
VBMB165R05S TO220F Single-N 650V 30(±V) 3.5V 5A 1000(mΩ)
VBM165R05S TO220 Single-N 650V 30(±V) 3.5V 5A 950 (mΩ)
VBM165R07S TO220 Single-N 650V 30(±V) 3.5V 7A 700 (mΩ)
VBL165R07S TO263 Single-N 650V 30(±V) 3.5V 7A 700 (mΩ)
VBFB165R05S TO251 Single-N 650V 30(±V) 3.5V 5A 950 (mΩ)
VBE165R05S TO252 Single-N 650V 30(±V) 3.5V 5A 1000(mΩ)
VBE165R07S TO252 Single-N 650V 30(±V) 3.5V 7A 700 (mΩ)

IGBT型号推荐

Part Number Package Configuration VCE V VGE V VGEth ICE VCEsat15V Technology
VBP112MI25 TO247 IGBT+FRD 1200 ±30 5 25 1.55 FS
VBP112MI40 TO247 IGBT+FRD 1200 ±30 5.5 40 1.55 FS
VBP112MI75 TO247 IGBT+FRD 1200 ±30 5.5 75 1.55 FS

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