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GaN HEMT

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MOSFET IGBT SiC MOSFET GaN HEMT
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VB Package
  • DFN8(5X6)
  • DFN8X8
重置
Configuration
  • Single-N
重置
VDS(V)
  • 650V
重置
VGS(±V)
  • -1.4~7V
  • -1.5~7V
重置
Vthty p(V)
  • 1.5V
重置
RDS(on)
6Vty(mΩ)
  • 110(mΩ)
  • 190(mΩ)
重置
ID(A)
  • 10A
  • 20A
重置
Technology
  • E-MODE
重置
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Part Number
 Package
 Configuration
 Vds V
 Vgs V
 Vth(v)typ
 IdA
 Rds(on)
6V(mΩ)
 Technology
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