大功率LED驱动电源设计中MOS管的应用——微碧VBsemi mos管 场效应管 |
发布时间:2020-09-14 10:04:04| 浏览次数: |
LED的发光原理 LED中含有N型半导体和P型半导体。N型半导体带有额外电子,P型半导体富有“空穴”,多余电子可以通过空穴实现转移,从一个空穴转移到另一个空穴,从而产生电流,当有正向电流通过晶片时,电子就会与P区中的空穴进行结合,然后就会发射光子,这就是半导体发光二极管为什么会发光的原因。
LED的优点 ⚫半导体发光二极管(Light Emitting Diode,LED),使用寿命长,可达到十万小时,耗电量小,较普通白炽灯更为稳定。较长的寿命赋予了发光二极管较好的稳定性,使发光二极管被广泛应用到工业生产中作为指示灯。 ⚫LED作为冷光源,和身为暖光源的传统白炽灯相比,它所产生的热量比传统白炽灯低,进而有更多的电能转化为了光能,发光效率更高。传统白炽灯所转换的光能仅为其所受到的高温热辐射的10%左右。
虽然LED有诸多优点,但是却受到了LED驱动电源的制约,进而减小了LED成本优势。因此,现在需要设计的大功率LED驱动电源要更关注其功率因数、效率及安全性。
大功率LED驱动电源的设计要素 ⚫功率因数符合国标GB/T17625.1-2003 ⚫驱动电源要使LED所通过的电流在任何情况下保持稳定,根据建议,LED的电流波动最好保持在平均电流的20%之内 ⚫驱动电源转换效率提高,达到节能目的,减少电源耗损,提高电源寿命及稳定性。 ⚫寿命要与LED的相匹配 ⚫为了安全性,一般采用隔离式电源拓扑结构。
2014年,Ma Yibo设计了一款功率为320W的LED路灯驱动电源,采用APFC+半桥LLC的两极电路拓扑结构模式。他设计的APFC电路基于Boost-APFC的改进型FOT模式,采用智能驱动芯片TEA1795T(外驱动)同步整流技术进一步提高电源的效率,有效降低了损耗。
320W LED恒流驱动电源硬件样机参数 ⚫输入电压AC 100V-260V ⚫输出电压DC 40V/8A ⚫功率因数大于等于0.98 ⚫转换效率大于92% ⚫输出恒定电流精度为±1% 【图1.样机总电路】
APFC主电路参数 ⚫输入电压AC 100-260V ⚫输出电压400V ⚫输出功率320W ⚫功率因数(PF)大于等于0.98 ⚫输出波纹电压变化率小于等于20%
【图2.FOT-APFC原理图】
【图3.改进型FOT方案电路图】
APFC中MOS管的选择参数 ⚫输入峰值电流5.02A ⚫额定电压600V
可选择的VBsemi微碧MOS管型号: ①VBM165R20S ②VBZM20N60 ③VBMB165R20 ④VBMB165R20S ⑤VBZMB20N65S
半桥LLC主电路的选择参数 ⚫输入电压360-430V ⚫额定输入电压400V ⚫输出电流8A ⚫输出电压40V ⚫输出功率320W ⚫品质因数Qzvs=0.399
【图4.同步整流芯片在半桥LLC谐振变换器中的电路图】
半桥LLC谐振变换器中原边MOS管的选择参数 ⚫峰值电流2.63A ⚫输入电压400V
可选择的VBsemi微碧MOS管型号: ①VBM165R20S ②VBZM20N60 ③VBMB165R20 ④VBMB165R20S ⑤VBZMB20N65S
半桥LLC谐振变换器中同步整流MOS管的选择参数 ⚫耐压80V ⚫平均电流8A
可选择的VBsemi微碧MOS管型号: ①VBM1101N ②VBMM1105 ③VBM1151N ④VBZM80N10 ⑤VBZM40N10 ⑥VBZM80N03
参考文献 [1]李文龙,孙伟峰.浅析半导体发光二极管的原理及应用特点[J].科技风,2017(15):175. [2]马义波. 基于半桥LLC谐振变换器的大功率LED驱动电源的研究[D].华南理工大学,2014. [3] 林方盛,蒋晓波,江磊,刘木清.LED驱动电源综述[J].照明工程学报,2012,23(S1):96-101. [4]王晓明,郭伟玲,高国,沈光地.LED——新一代照明光源[J].现代显示,2005(07):15-19+41.
|
上一篇:电动自行车无刷直流电机控制器中的MOS管选择——微碧VBsemi mos管 场效应管 下一篇:太阳能LED照明系统优化后各电路中MOS管的应用选择——微碧VBsemi 场效应管 |
诚信为本 精益求精