产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
40V |
20（±V） |
3V |
180A |
|
|
2mΩ |
|
2. 详细的参数说明
| 参数 | 说明 |
| -------------- | ----------------------------- |
| **型号** | UT150N04-VB |
| **封装** | TO220 |
| **配置** | 单极性 N 型 MOSFET |
| **VDS** | 40V |
| **VGS** | ±20V |
| **Vth** | 3V |
| **RDS(ON)** | 15mΩ @ VGS = 4.5V |
| | 2mΩ @ VGS = 10V |
| **ID** | 180A |
| **技术** | Trench（沟槽）技术 |
| **最大功率** | 约 350W (根据应用电流和电压决定) |
| **工作温度范围** | -55°C 至 +150°C |
- **VDS**：该器件最大漏源电压为 **40V**，适用于低电压高电流的应用场景。
- **VGS**：栅源电压最大值为 **±20V**，提供较广的栅极控制范围，适用于多种驱动电压环境。
- **Vth**：栅源阈值电压为 **3V**，意味着该 MOSFET在较低栅源电压下就能开始导通。
- **RDS(ON)**：导通电阻在 **VGS = 10V** 时低至 **2mΩ**，提供极低的导通损耗，适合大电流应用。
- **ID**：最大漏极电流为 **180A**，能够承载较大的电流，适合高电流负载。
- **技术**：采用 **Trench** 技术，优化了开关速度并降低了导通电阻，提高了效率。
领域和模块应用：
3. 适用领域和模块示例
# **1. 高效电源转换与电池管理**
**UT150N04-VB** 的低导通电阻和高电流承载能力使其成为 **开关电源（SMPS）** 和 **电池管理系统（BMS）** 的理想选择。在 **DC-DC 转换器** 中，它能够有效地减少电源转换过程中的损耗，提高能效。例如，在电池充电器中，它可以高效地控制电流流动，同时保持低功率损耗，提升充电效率。
# **总结**
**UT150N04-VB** 是一款高效、低功率损耗的 **N 型功率 MOSFET**，适用于 **电源转换、驱动电机、太阳能逆变器、电动工具、电动汽车电力管理等领域**。它通过低导通电阻和高电流承载能力，在多个高效能要求的应用中表现出色，确保系统高效、稳定的工作。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
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