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GL2310-VB 产品详细

产品简介:

GL2310-VB MOSFET 产品简介

GL2310-VB 是一款采用 Trench 技术的单 N 沟道 MOSFET,封装形式为 SOT223。该 MOSFET 设计用于提供可靠的高效开关和低电阻导通性能,特别适合在中等电压和电流要求的应用中使用。其较低的导通电阻和高电流处理能力使其在许多电源管理和开关应用中表现出色。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT223 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 4.5A 76mΩ
GL2310-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装形式**: SOT223
- **通道配置**: 单 N 沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 60V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 85mΩ @ VGS = 4.5V
- 76mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 4.5A
- **技术类型**: Trench 技术

领域和模块应用:

GL2310-VB MOSFET 的应用领域和模块

GL2310-VB MOSFET 适用于多种中低电压应用,特别是在需要高开关效率和可靠性的场景中表现优异。以下是一些典型应用领域和模块:

1. **电源管理**: GL2310-VB 能够高效地处理电源开关操作,特别是在低压电源转换器中。由于其相对低的 RDS(ON) 和能够承受的最大电流,适用于 DC-DC 转换器、负载开关和电源管理电路中,可以有效降低功率损耗并提高系统效率。

2. **电池供电设备**: 在电池供电的设备中,GL2310-VB 适合作为开关 MOSFET,用于控制电池的开关,提供过流保护以及电池的有效管理。这有助于延长电池寿命并确保电池的安全运行。

3. **LED 驱动电路**: GL2310-VB 可用作 LED 驱动电路中的开关元件。其低导通电阻和高电流处理能力使其在驱动高功率 LED 或 LED 照明模块时能够有效控制电流和提高系统可靠性。

总的来说,GL2310-VB 是一款功能多样、性能稳定的 MOSFET,适合应用于各种需要中等电压和电流处理的电路中。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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