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FQPF44N10-VB 产品详细

产品简介:

FQPF44N10-VB MOSFET:产品简介

FQPF44N10-VB 是一款高性能N沟道MOSFET,采用TO220F封装,设计用于处理高电压和大电流的应用。它的最大漏源电压(VDS)为100V,具有较低的导通电阻(RDS(ON))为34mΩ@ VGS = 10V,能够承受高达50A的连续漏极电流。MOSFET使用Trench技术,提供了高效的开关性能和低功耗,非常适合用于高功率电子设备和电源管理系统中。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220F Single-N 100V 20(±V) 1.8V 50A 34mΩ
详细参数说明

- **封装:** TO220F
- **配置:** 单一N沟道
- **VDS(漏-源电压):** 100V
- **VGS(栅-源电压):** ±20V
- **Vth(阈值电压):** 1.8V
- **RDS(ON)(导通电阻):** 34mΩ @ VGS = 10V
- **ID(连续漏极电流):** 50A
- **技术:** Trench

领域和模块应用:

应用实例

FQPF44N10-VB MOSFET 适用于多个领域和模块,以下是一些具体应用场景:

1. **电源管理系统:** FQPF44N10-VB 在开关模式电源(SMPS)和直流-直流转换器(DC-DC Converter)中表现出色,特别是在需要处理高电流和高电压的电源模块中,提供高效的开关和低导通损耗,提升系统的能效。

2. **电机驱动:** 该MOSFET 是电机驱动系统中的理想选择,尤其适用于H桥电路和大功率电动机控制器。其高电流承载能力和低导通电阻能够有效驱动各种电机,如步进电机和直流电机。

3. **电池管理系统:** FQPF44N10-VB 可用于电池管理系统,包括电池充电器和保护电路。其高电流承载能力和低导通电阻有助于优化电池的充放电过程,提高系统的整体性能和可靠性。

4. **高功率负载开关:** 该MOSFET 适用于高功率负载开关应用,如电源开关和负载控制器。其低导通电阻和高电流能力使其能够高效地处理负载切换,确保系统的稳定运行。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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