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FDG6335N-VB 产品详细

产品简介:

FDG6335N-VB MOSFET 产品简介

FDG6335N-VB 是一款双N沟道MOSFET,采用SC70-6封装。该MOSFET 的漏源电压(VDS)为20V,栅源电压(VGS)耐压为±12V,适用于低电压应用。它的门限电压(Vth)范围在0.5V到1.5V之间,确保在较低的栅极电压下即可导通。FDG6335N-VB 的导通电阻(RDS(ON))在VGS为2.5V时为110mΩ,在VGS为4.5V时为86mΩ,提供了高效的电流传导能力。最大连续漏极电流(ID)为2.6A。采用了沟槽(Trench)技术,这款MOSFET 提供了良好的开关性能和小巧的封装,适合应用于空间受限的场合。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SC70-6 Dual-N+N 20V 12(±V) 0.5~1.5V 2.6A 110mΩ
FDG6335N-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装类型**:SC70-6
- **极性**:双N沟道
- **漏源电压(VDS)**:20V
- **栅源电压(VGS)**:±12V
- **阈值电压(Vth)**:0.5V ~ 1.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 110mΩ @ VGS = 2.5V
- 86mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大连续漏极电流(ID)**:2.6A
- **技术**:沟槽(Trench)
- **输入电容(Ciss)**:低
- **输出电容(Coss)**:低
- **反向恢复时间(trr)**:短
- **功耗**:低导通损耗和高开关效率
- **工作温度范围**:-55°C 至 +150°C

领域和模块应用:

FDG6335N-VB 的应用领域和模块举例

FDG6335N-VB MOSFET 的紧凑封装和优良的电气特性使其适用于多种低电压、高效率的应用。以下是一些典型的应用领域:

1. **便携式电子设备**:由于其小巧的SC70-6封装,FDG6335N-VB 适合用于空间受限的便携式电子设备,如智能手机、平板电脑和移动电源。在这些设备中,MOSFET 可用于电源管理、电池开关和保护电路,帮助节省空间并提高系统效率。

2. **低功耗开关电源**:FDG6335N-VB 适合用于低功耗开关电源设计,例如LED驱动器和小型电源适配器。其低导通电阻和高开关效率能够优化电源性能,提高整体能效,适用于低电压应用场合。

3. **电池管理系统(BMS)**:在电池管理系统中,FDG6335N-VB 可用于电池开关和保护电路。它的高效开关性能和小尺寸适合用于锂离子电池管理、充电器和其他电池组的控制,以提高系统的可靠性和安全性。

4. **消费电子产品**:该MOSFET 也适用于各种消费电子产品,如家用电器和小型电动工具。在这些应用中,FDG6335N-VB 可以作为负载开关和电源控制器,帮助实现高效的功率管理和可靠的操作。

5. **汽车电子**:在汽车电子领域,FDG6335N-VB 可以用于低电压汽车控制系统,例如LED车灯和车载充电器。其紧凑封装和优良的电气性能满足汽车电子系统对空间和性能的高要求。

总之,FDG6335N-VB MOSFET 提供了出色的开关性能和紧凑封装,适用于多种低电压和高效率的电子应用,能够有效提升系统的性能和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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