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DTM4410-VB 产品详细

产品简介:

一、DTM4410-VB 产品简介

DTM4410-VB是一款高性能N沟道MOSFET,采用SOP8封装,专为低电压高电流应用设计。该MOSFET具备30V的漏源电压(VDS)和20V的栅源电压(VGS),能够在宽范围内稳定运行。利用先进的Trench技术,DTM4410-VB提供极低的导通电阻(RDS(ON)),在VGS=4.5V下为5mΩ,在VGS=10V下为4mΩ。这使得它在处理高电流时具有出色的效率。阈值电压(Vth)为1.7V,漏极电流(ID)可达18A,确保其在高功率应用中表现优异。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-N 30V 20(±V) 1.7V 18A 4mΩ
二、DTM4410-VB 详细参数说明

- **封装类型**:SOP8
- **通道配置**:单通道N型
- **漏源电压 (VDS)**:30V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 5mΩ @ VGS = 4.5V
- 4mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:18A
- **技术**:Trench技术

领域和模块应用:

三、应用领域与模块示例

**1. 电源管理系统**
DTM4410-VB非常适合用于高效电源管理系统,如DC-DC转换器和电源开关模块。其极低的导通电阻和高电流处理能力确保了电源转换过程中的高效能和低功耗,能够有效地提升电源系统的整体性能。

**2. 电机驱动**
在电机驱动应用中,如直流电机和步进电机驱动器,DTM4410-VB能够承受高电流,提供稳定的开关性能。它的低导通电阻和高电流承载能力使其在电机启动和控制过程中表现优异。

**3. 充电器**
在充电器设计中,DTM4410-VB能够处理充电过程中产生的高电流,保证充电器的高效和稳定工作。其低导通电阻有助于减少充电过程中的热量,提升充电效率和安全性。

**4. 计算机和消费电子**
在计算机电源和其他消费电子设备中,DTM4410-VB可以作为开关元件应用于电源管理和信号切换。它的高开关速度和低功耗特性使其适用于需要高效电源处理和小型化设计的电子设备。

**5. 自动化设备**
在工业自动化设备中,如PLC(可编程逻辑控制器)和传感器控制电路,DTM4410-VB的高电流能力和低导通电阻确保了系统的稳定运行和快速响应,提高了自动化设备的整体性能和可靠性。

DTM4410-VB凭借其高电流处理能力和低导通电阻,能够在多种高性能应用中提供稳定和高效的解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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