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CMU50P06-VB 产品详细

产品简介:

一、CMU50P06-VB 产品简介

CMU50P06-VB 是一款高性能单P沟道MOSFET,采用TO251封装,专为负压应用设计。其主要特点包括高达-60V的漏源极击穿电压和-50A的连续漏极电流,适合处理较大电流负载。该MOSFET采用Trench技术,提供低导通电阻(RDS(ON)),有助于提高开关效率和减少功率损耗。其低阈值电压和宽泛的栅源极电压范围使其在各种负压开关控制应用中表现优异。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO251 Single-P -60V 20(±V) -2.5V -50A 13mΩ
二、CMU50P06-VB 详细参数说明

| 参数 | 说明 |
|------|------|
| 封装 | TO251 |
| 配置 | 单P沟道 |
| 漏源极击穿电压 (VDS) | -60V |
| 栅源极电压 (VGS) | ±20V |
| 阈值电压 (Vth) | -2.5V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 17mΩ @ VGS=4.5V
13mΩ @ VGS=10V |
| 连续漏极电流 (ID) | -50A |
| 技术 | Trench |

领域和模块应用:

三、CMU50P06-VB 的应用领域和模块

CMU50P06-VB MOSFET由于其优异的性能和适用范围广泛,适合用于以下主要领域和模块:

1. **负压开关电源**:在负压开关电源应用中,CMU50P06-VB MOSFET可以用作高效开关元件,实现负压电源的稳定转换。其低导通电阻可以减少功率损耗,提升电源系统的整体效率。

2. **反向电流保护**:在电流保护电路中,该MOSFET能够防止电流反向流动,保护电路免受反向电流的损害。其低导通电阻有助于减少保护电路中的功率损耗。

3. **负载开关**:在各种负载开关应用中,CMU50P06-VB能够高效地控制负载开关操作,适用于需要负压控制的场景。其高电流能力和低导通电阻使其在高负载开关应用中表现优异。

4. **电池管理系统**:在电池管理系统中,该MOSFET可以用于负载开关和保护功能,帮助管理电池的充放电过程。其高电流处理能力和低导通电阻有助于提升系统的效率和稳定性。

5. **电机控制**:在电机控制应用中,CMU50P06-VB MOSFET能够用于负载开关控制电机,尤其是需要负压开关的场景。其高电流能力和低导通电阻使其适合于各种电机驱动模块。

综上所述,CMU50P06-VB MOSFET凭借其出色的性能和广泛的适用范围,是负压开关控制、高电流负载和电池管理系统的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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