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CMU30N06L-VB 产品详细

产品简介:

一、CMU30N06L-VB 产品简介

CMU30N06L-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用TO251封装,专为高效率的低压应用设计。其主要特点包括高达60V的漏源极击穿电压和35A的连续漏极电流,适合处理中高电流负载。该MOSFET采用Trench技术,确保了低导通电阻(RDS(ON)),从而提高了开关效率和减少功率损耗。其低阈值电压和宽泛的栅源极电压范围,使其在各种电源管理和开关控制应用中表现优异。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO251 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 35A 32mΩ
二、CMU30N06L-VB 详细参数说明

| 参数 | 说明 |
|------|------|
| 封装 | TO251 |
| 配置 | 单N沟道 |
| 漏源极击穿电压 (VDS) | 60V |
| 栅源极电压 (VGS) | ±20V |
| 阈值电压 (Vth) | 1.7V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 37mΩ @ VGS=4.5V
32mΩ @ VGS=10V |
| 连续漏极电流 (ID) | 35A |
| 技术 | Trench |

领域和模块应用:

三、CMU30N06L-VB 的应用领域和模块

CMU30N06L-VB MOSFET由于其良好的性能和广泛的适用性,适合用于以下几个主要领域和模块:

1. **开关电源**:在开关电源(SMPS)应用中,CMU30N06L-VB MOSFET作为主开关器件,能够提供高效的电能转换。其低导通电阻和高电流处理能力,使其能够在转换过程中减少能量损耗,提高整体系统效率。

2. **DC-DC转换器**:该MOSFET适用于DC-DC转换器中,用于高效的电压转换。其低导通电阻有助于降低功率损耗,提升转换效率,特别是在需要处理较大电流的应用场景中表现优异。

3. **电机驱动**:在电机驱动应用中,CMU30N06L-VB能够处理高电流负载,提供可靠的开关控制。其高电流能力和低导通电阻有助于提升电机的运行效率和稳定性,适用于各种电机驱动模块。

4. **LED照明**:在LED照明系统中,该MOSFET能够作为开关控制器件,提供高效的电流管理和开关操作。其低导通电阻和高电流能力使其适合用于高功率LED驱动电路,确保光源稳定和高效。

5. **电池管理系统**:在电池管理系统中,CMU30N06L-VB MOSFET能够高效地管理电池的充放电过程。其高电流处理能力和低导通电阻有助于提升电池管理的效率,减少能量损耗,延长电池使用寿命。

综上所述,CMU30N06L-VB MOSFET凭借其优异的电气特性,适用于各类高效电源管理和开关控制应用,能够满足中高电流负载的需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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