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CMD50N04-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**CMD50N04-VB** 是一种高性能的单N沟道MOSFET,封装形式为TO252。这款MOSFET具备40V的漏源电压(VDS),使其适用于中等电压的应用场景。其最大门源电压(VGS)为±20V,确保在多种驱动电压条件下稳定工作。CMD50N04-VB 的门阈值电压(Vth)为2.5V,能够在适中的门电压下开启。该器件采用了先进的沟槽(Trench)技术,提供了较低的导通电阻(RDS(ON)),在VGS=4.5V时为14mΩ,在VGS=10V时为12mΩ,同时其最大漏极电流(ID)为55A,适合各种中等电压和电流的应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO252 Single-N 40V 20(±V) 2.5V 55A 12mΩ
详细参数说明

- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 40V
- **最大门源电压 (VGS)**: ±20V
- **门阈值电压 (Vth)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 14mΩ @ VGS = 4.5V
- 12mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 55A
- **技术**: 沟槽(Trench)

领域和模块应用:

应用领域和模块

**CMD50N04-VB** 的性能特点使其在多个领域和模块中表现优异,以下是一些具体应用示例:

1. **DC-DC转换器**:在DC-DC转换器中,CMD50N04-VB 可作为高效的开关元件。其低导通电阻(RDS(ON))减少了功率损耗,提高了转换效率,是实现高效能电源转换的理想选择。

2. **电机驱动**:在电机驱动应用中,该MOSFET 可以用于控制电机的开关。其高电流能力和低导通电阻使其能够有效地驱动电机并提供可靠的开关控制,提高电机的运行效率和稳定性。

3. **电源保护**:在电源保护电路中,CMD50N04-VB 可用于负载保护和过流保护。其高电流能力和低RDS(ON)特性帮助保护电源设备免受过载和短路的影响。

4. **汽车电子**:在汽车电子系统中,该MOSFET 适用于电池管理系统和电机控制单元。其中等电压和高电流处理能力能够满足汽车中各种控制和管理需求,提升系统的整体性能和可靠性。

5. **工业自动化**:在工业自动化系统中,CMD50N04-VB 可用于高功率负载控制和开关电路。其稳定的性能和高电流能力使其适用于工业设备中的关键控制应用,如电动执行器和高功率开关。

通过以上应用示例,可以看出**CMD50N04-VB** 在中等电压和高电流应用中表现出色,适用于各种需要高效能和高可靠性的电子设备和系统。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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