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CMB150N04-VB 产品详细

产品简介:

CMB150N04-VB MOSFET 产品简介

**CMB150N04-VB** 是一款高性能 N-Channel MOSFET,封装形式为 TO263,专为高电流和高效能应用设计。该 MOSFET 采用 Trench 技术,具有 40V 的漏源电压(VDS)和 ±20V 的栅源电压(VGS),能够处理较高的电流负载。其门限电压(Vth)为 3V,并且提供非常低的 RDS(ON) 值,适用于高效能电源管理和开关应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO263 Single-N 40V 20(±V) 3V 280A 1.4mΩ
CMB150N04-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装**: TO263
- **配置**: 单个 N-Channel
- **漏源电压 (VDS)**: 40V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **门限电压 (Vth)**: 3V
- **RDS(ON)**:
- 1.68mΩ @ VGS = 4.5V
- 1.4mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流 (ID)**: 280A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

CMB150N04-VB MOSFET 的应用示例

1. **高功率开关**:
- 在高功率开关应用中,CMB150N04-VB MOSFET 可以用作开关元件,处理大电流负载。其低 RDS(ON) 和高电流处理能力使其非常适合用于电源开关和高效能电路设计,如高功率逆变器和电源供应系统。

2. **电源管理**:
- 在电源管理电路中,例如 DC-DC 转换器和电源调节模块,该 MOSFET 提供高效的开关性能和低导通电阻,优化功率转换和电源分配,提高整体系统的效率。

3. **电动汽车电池管理**:
- 对于电动汽车电池管理系统,CMB150N04-VB 可以提供高效的电流开关和控制功能,确保电池组的安全性和稳定性。其高电流处理能力适用于大电流充电和放电应用。

4. **电机驱动**:
- 在电机驱动电路中,该 MOSFET 能够提供稳定的电流控制,适用于高电流电机驱动系统,如工业电机和电动工具。其低导通电阻帮助减少功耗和热量生成,提高系统效率。

5. **照明系统**:
- 在高功率 LED 照明系统中,CMB150N04-VB 可用作电流控制和开关元件,通过其低 RDS(ON) 和高电流能力,确保 LED 照明的亮度一致性和系统的高效运行。

通过充分利用 CMB150N04-VB 的先进 Trench 技术和优异的电气性能,设计师能够在多种高电流、高效能应用中实现卓越的性能和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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