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CEH2321-VB 产品详细

产品简介:

CEH2321-VB MOSFET 产品简介

CEH2321-VB 是一款单 P 沟道 MOSFET,采用 SOT23-6 封装。该 MOSFET 设计用于低电压、高效能的应用,具有最大漏极-源极电压(VDS)为 -30V 和最大连续漏极电流(ID)为 -4.8A。其导通电阻(RDS(ON))在 10V 栅极电压下为 49mΩ,适合用于需要高效率开关和低功耗的场合。CEH2321-VB 采用 Trench 技术,提供优异的导通性能和开关特性,适合用于高效能开关电路和低电压电源管理系统。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-6 Single-P -30V 20(±V) -1.7V -4.8A 49mΩ
详细参数说明

1. **封装**: SOT23-6
- **描述**: SOT23-6 是一种小型的表面贴装封装,适用于空间受限的应用,提供了良好的散热性能和小巧的设计。

2. **配置**: 单 P 沟道
- **描述**: CEH2321-VB 是单 P 沟道 MOSFET,用于控制负载的开关,特别适合于低电压和高效能的应用。

3. **VDS (漏极-源极电压)**: -30V
- **描述**: 最大漏极-源极电压为 -30V,适合用于低电压电路中,能够承受较高的负电压。

4. **VGS (栅极-源极电压)**: ±20V
- **描述**: 支持的栅极-源极电压范围为 ±20V,提供灵活的驱动选项和可靠的工作稳定性。

5. **Vth (阈值电压)**: -1.7V
- **描述**: 阈值电压为 -1.7V,表明在该电压下 MOSFET 开始导通,适合用于低电压控制应用。

6. **RDS(ON) (导通电阻)**:
- **54mΩ @ VGS = 4.5V**: 在栅极电压为 4.5V 时,导通电阻为 54mΩ。
- **49mΩ @ VGS = 10V**: 在栅极电压为 10V 时,导通电阻为 49mΩ。低导通电阻有助于减少功率损耗,提高效率。

7. **ID (连续漏极电流)**: -4.8A
- **描述**: 最大连续漏极电流为 -4.8A,适合中等电流负载的开关应用。

8. **技术**: Trench
- **描述**: Trench 技术提供低导通电阻和优异的开关性能,适合高效能开关电路和低功耗应用。

领域和模块应用:

应用领域举例

1. **电源管理**:
- CEH2321-VB 可用于电源管理模块中的开关控制,特别适合于低电压电源的开关和调节。其低导通电阻和高效能开关特性确保了高效的电源控制和减少功率损耗。

2. **移动设备**:
- 在移动设备如智能手机和平板电脑中,CEH2321-VB 可以用作电源开关和电池管理。由于其小型封装和高效能开关特性,适合于空间有限的电子设备。

3. **DC-DC 转换器**:
- 在 DC-DC 转换器设计中,CEH2321-VB 可以作为开关元件使用。其低导通电阻和高电流承受能力确保了转换器的高效能和稳定性。

4. **LED 驱动器**:
- 在 LED 驱动器设计中,CEH2321-VB 可用于控制 LED 的开关,提供稳定的电流和高效能的开关控制。其低导通电阻确保了 LED 系统的高效能和长寿命。

5. **汽车电子**:
- 在汽车电子应用中,如车载电源管理和控制系统,CEH2321-VB 适合用于负载开关和电源控制。其高效能和耐用性使其适合在汽车环境中使用。

6. **智能家居**:
- 在智能家居系统中,CEH2321-VB 可用于开关控制和电源管理,如智能插座和灯光控制。其小型封装和高效能开关特性使其适合于家庭自动化设备。

CEH2321-VB 的高效能和小型封装使其在电源管理、移动设备、DC-DC 转换器、LED 驱动器、汽车电子和智能家居等领域具有广泛的应用潜力。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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