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CEH2313-VB 产品详细

产品简介:

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**CEH2313-VB** 是一款高性能的P沟道MOSFET,采用SOT23-6封装,并使用Trench技术制造。该MOSFET具有最高-30V的漏源电压(VDS),并支持±20V的栅源电压(VGS)。它的栅极阈值电压(Vth)为-1.7V,导通电阻(RDS(ON))在VGS为10V时为49mΩ,最大漏极电流(ID)为-4.8A。该器件特别适合用于要求高效能和高可靠性的负载开关和控制应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-6 Single-P -30V 20(±V) -1.7V -4.8A 49mΩ
详细参数说明

- **型号**: CEH2313-VB
- **封装**: SOT23-6
- **配置**: 单通道P沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: -30V
- **最大栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 54mΩ @ VGS=4.5V
- 49mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: -4.8A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块

**CEH2313-VB** MOSFET 在以下领域和模块中有广泛的应用:

1. **电源管理**:
- 在电源管理系统中,该MOSFET可用作高效的负载开关,尤其是在小型电源模块中,例如便携式设备和消费电子产品。
- 其低导通电阻和高电流处理能力使其在小型电源开关中能够有效减少能量损耗和提升系统效率。

2. **电池供电设备**:
- 在电池供电的设备中,如智能手机、平板电脑和其他便携式设备,该MOSFET可以用于电池电源的切换和保护。
- 能够确保电池管理系统的高效和可靠性,防止过度放电和过充电。

3. **负载开关**:
- 用于各类负载开关应用,如开关电源中的负载控制和电子开关。
- 其高电流处理能力和低导通电阻有助于实现高效能的负载控制。

4. **DC-DC转换器**:
- 在DC-DC转换器中,该MOSFET可以作为开关元件,用于高效的电压转换和功率管理。
- 适用于降压转换器和升压转换器中的开关控制,提升转换效率和稳定性。

5. **汽车电子**:
- 适用于汽车电子设备中的开关和控制应用,例如车载电源管理系统和照明控制系统。
- 高温稳定性和可靠性使其适合汽车环境中的各种电气控制任务。

通过这些应用示例,**CEH2313-VB** MOSFET 显示出其在高效能和高可靠性要求的负载开关和电源管理系统中的重要性,是各种小型和中型电子设备的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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