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CEH2305-VB 产品详细

产品简介:

CEH2305-VB MOSFET 产品简介

**型号**: CEH2305-VB
**封装**: SOT23-6
**配置**: 单P沟道
**最大漏极-源极电压(VDS)**: -30V
**最大栅极-源极电压(VGS)**: ±20V
**阈值电压(Vth)**: -1.7V
**导通电阻(RDS(ON))**: 54mΩ@VGS=4.5V;49mΩ@VGS=10V
**最大漏极电流(ID)**: -4.8A
**技术**: 沟槽工艺(Trench)

CEH2305-VB 是一款高性能单P沟道MOSFET,采用SOT23-6封装,特别适用于需要小尺寸和高电流的电子应用。它具有低导通电阻和高电流处理能力,使其在各种高效电源开关应用中表现优异。其小巧的封装和高电流能力使其非常适合便携式设备和紧凑型电路设计。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-6 Single-P -30V 20(±V) -1.7V -4.8A 49mΩ
详细参数说明

- **封装类型**: SOT23-6
- **通道类型**: 单P沟道
- **最大漏极-源极电压(VDS)**: -30V
- **最大栅极-源极电压(VGS)**: ±20V
- **阈值电压(Vth)**: -1.7V(典型值)
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 54mΩ@VGS=4.5V
- 49mΩ@VGS=10V
- **最大漏极电流(ID)**: -4.8A
- **漏极-源极击穿电压(BVDSS)**: -30V
- **栅极漏电流(IGSS)**: ±100nA @ VGS=±20V
- **功率耗散(Ptot)**: 1.25W
- **结-环境热阻(RθJA)**: 100°C/W
- **结-壳热阻(RθJC)**: 20°C/W
- **工作结温范围**: -55°C 至 +150°C
- **存储温度范围**: -55°C 至 +150°C
- **技术**: 沟槽工艺(Trench)

领域和模块应用:

适用领域和模块示例

1. **便携式电子设备**: CEH2305-VB 的小型SOT23-6封装和高电流能力使其非常适合用于便携式电子设备,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。在这些设备中,MOSFET 可以用作高效的电源开关,优化电池使用效率并延长设备的使用时间。

2. **电源管理系统**: 在电源管理系统中,CEH2305-VB 可以用作DC-DC转换器中的开关元件。它的低导通电阻和高电流能力确保了转换器的高效率和稳定性,适用于各种电力转换和调节任务。

3. **低压电源开关**: 由于其低导通电阻和高电流能力,CEH2305-VB 适用于低压电源开关应用,如计算机电源供应中的负载开关。它能够在较低的电压下提供稳定的开关性能,减少功率损耗。

4. **LED驱动电路**: 在LED驱动电路中,CEH2305-VB 可以用作开关元件,控制LED的亮度和开关状态。其高电流能力和低导通电阻有助于提高LED驱动的效率和可靠性。

5. **汽车电子**: 在汽车电子系统中,CEH2305-VB 可以用于控制电动窗、座椅调节和灯光系统等。其高电流能力和小巧封装适合于空间有限的汽车环境,并能处理汽车电气系统中的高负荷需求。

6. **消费电子**: CEH2305-VB 的小型封装和高效能特性使其适用于各种消费电子产品中的开关电路,如游戏机、电视和音响设备,提供可靠的电源管理和开关控制。

CEH2305-VB 的低导通电阻和小封装使其在高效电源管理、便携式设备和各种电子应用中表现出色,满足了对小型化、高电流和低功耗的需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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