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CED2303-VB 产品详细

产品简介:

CED2303-VB MOSFET 产品简介

CED2303-VB 是一款单P沟道功率MOSFET,封装在TO251中,采用Trench技术。它具有高达-30V的漏源电压承受能力,适用于需要负电压控制的应用场景。该MOSFET 在VGS=10V时的导通电阻为56mΩ,提供了优秀的低功耗性能。CED2303-VB 的高电流处理能力使其非常适合高效开关和负载控制应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO251 Single-P -30V 20(±V) -1.7V -20A 56mΩ
CED2303-VB 详细参数说明

- **封装类型**:TO251
- **配置**:单P沟道
- **漏源电压(VDS)**:-30V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:-1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 72mΩ @ VGS=4.5V
- 56mΩ @ VGS=10V
- **连续漏极电流(ID)**:-20A
- **技术**:Trench技术

领域和模块应用:

CED2303-VB 应用领域和模块示例

1. **电源开关**:CED2303-VB 可用于电源开关应用中,特别是在需要负电压控制的场合。其低导通电阻和高电流处理能力使其能够有效地控制电流,减少功耗。

2. **负载开关**:在各种电子设备中,作为负载开关使用CED2303-VB 可以在负电压环境下实现高效的开关操作。其低导通电阻确保了低功耗和高效率的负载控制。

3. **电池管理系统**:在电池管理系统中,CED2303-VB 可以用作保护开关,控制电池的充放电过程。其高电流能力和低导通电阻使其适用于高功率电池系统的管理。

4. **逆变器**:在逆变器应用中,CED2303-VB 可用于高效地控制负电压路径。特别是在逆变器电路需要对负电压进行精确控制时,该MOSFET 的高性能特点能够提高系统的总体效率。

5. **功率转换器**:在功率转换器中,CED2303-VB 可以处理负电压并实现高效开关。其低导通电阻和高电流处理能力使其在高效电源转换中表现优异。

6. **电机驱动**:在需要负电压的电机驱动电路中,CED2303-VB 能够作为有效的开关元件,控制电机的驱动电流,实现高效和可靠的电机控制。

总体来说,CED2303-VB 是一款性能优越的P沟道功率MOSFET,适用于电源开关、负载开关、电池管理系统、逆变器、功率转换器和电机驱动等多种应用。其低导通电阻和高电流能力使其在各种需要负电压控制的场合中表现出色。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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