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CEB12P10-VB 产品详细

产品简介:

CEB12P10-VB 产品简介

CEB12P10-VB 是一款高耐压单P沟道MOSFET,封装为TO263,专为负电压应用设计。采用Trench技术,该MOSFET具有较低的导通电阻和良好的开关性能,适合于各种电源管理和负载控制应用。其负漏源电压(VDS)和较高的电流处理能力使其在需要反向电流控制的应用中表现出色。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO263 Single-P -100V 20(±V) -2V -12A 200mΩ
详细参数说明

- **型号**: CEB12P10-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单P沟道
- **漏源电压 (VDS)**: -100V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -2V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 240mΩ @ VGS=4.5V
- 200mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: -12A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块

1. **电源管理系统**:
- 在电源管理系统中,CEB12P10-VB 的负电压和较低的导通电阻使其适合用于负电压转换器和高侧开关应用。其优异的开关特性有助于提高系统的效率,减少功率损耗,适用于高效电源模块和负电压调节电路。

2. **反向电流控制**:
- 在需要反向电流控制的应用中,如电池管理系统和电动机驱动系统中,CEB12P10-VB 能够有效地控制和管理负电流。其高耐压和稳定的导通电阻使其适合用于保护电路和控制电流流向,确保系统的可靠性和稳定性。

3. **汽车电子系统**:
- 在汽车电子系统中,该MOSFET可以用于负电压电源管理、逆变器和其他控制模块。其高耐压和良好的电流处理能力适合汽车中的电源开关和负载控制,保证了在车辆电气系统中的可靠性和性能。

4. **工业自动化和控制**:
- 在工业自动化系统中,CEB12P10-VB 适用于负电压驱动和高侧开关应用。其良好的导通电阻和负电压处理能力使其适合用于工业设备的控制系统中,确保设备的稳定运行和高效操作。

CEB12P10-VB 通过其卓越的电气性能和Trench技术,在多个领域中提供了可靠的性能,特别是在负电压和负载控制应用中,确保系统的高效和长期稳定运行。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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