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AUIRFR4620TRPBF-VB 产品详细

产品简介:

**产品简介:**

AUIRFR4620TRPBF-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,封装为 TO252。该 MOSFET 具有高耐压和适中的导通电阻,非常适合用于高压开关和功率管理应用中,尤其是在要求高电流和高电压的环境下。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO252 Single-N 200V 20(±V) 3V 30A 55(mΩ)

**详细参数说明:**

- **封装**: TO252
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏源极耐压 (VDS)**: 200V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 55mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 30A
- **技术**: 沟槽技术(Trench)

领域和模块应用:

应用领域及模块示例:**

1. **高压电源管理**: 由于其200V的漏源极耐压,AUIRFR4620TRPBF-VB 适用于高压电源管理系统,如高压电源转换器或电源保护电路,有助于提高系统稳定性和安全性。

2. **电动汽车充电器**: 在电动汽车的充电系统中,该 MOSFET 可以用于高电压和高电流的开关应用,优化充电效率并确保安全可靠的充电过程。

3. **工业电源**: 该 MOSFET 适合在工业电源系统中使用,特别是在需要处理高电压和大电流的环境中,例如工业电机控制和高压变换器应用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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