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AUIRFR4105ZTRPBF-VB 产品详细

产品简介:

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AUIRFR4105ZTRPBF是一款单N沟道场效应晶体管(MOSFET),封装为TO-252。该器件采用沟槽技术,适用于要求中高电压和高电流的应用。其额定漏极-源极电压(VDS)为60V,最大连续漏极电流为58A,具有较低的导通电阻,能够有效降低功耗和提升系统效率。AUIRFR4105ZTRPBF设计用于电源管理、电动汽车和开关电路等多种高要求应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO252 Single-N 60V 20(±V) 2.5V 58A 13(mΩ) 10(mΩ)
详细参数说明

- **型号**: AUIRFR4105ZTRPBF
- **封装**: TO252
- **配置**: 单N沟道
- **漏极-源极电压(VDS)**: 60V
- **栅极-源极电压(VGS)**: ±20V
- **阈值电压(Vth)**: 2.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 13mΩ(VGS = 4.5V)
- 10mΩ(VGS = 10V)
- **连续漏极电流(ID)**: 58A
- **技术**: Trench(沟槽技术)

领域和模块应用:

适用领域和模块

1. **电源管理**:AUIRFR4105ZTRPBF在DC-DC转换器和电源开关中提供高效的电流开关能力,适用于要求高电压和高电流的电源管理应用。其低导通电阻有助于降低功耗和提升整体系统效率。

2. **电动汽车**:在电动汽车驱动系统和电池管理系统中,该MOSFET因其较高的电压承受能力和导通电阻的表现,能够有效地处理电流,确保系统的稳定性和安全性。

3. **开关电路**:适用于需要高电流处理的开关电路,如电机驱动、电源切换和负载开关,其优异的开关特性和低导通电阻确保了高效能的电流控制。

4. **工业控制**:在工业控制系统中,AUIRFR4105ZTRPBF可以用于控制大功率负载和电源开关,其高电流承载能力和优良的开关性能使其适合要求严格的工业应用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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