产品参数:
VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
TO3P |
Single-N-Channel |
60V |
20(±V) |
3V |
210A |
|
3.6mΩ |
3mΩ |
|
### 详细参数说明
- **型号**: 2SK2313-VB
- **封装**: TO3P
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压(VDS)**: 60V
- **栅源电压(VGS)**: ±20V
- **门限电压(Vth)**: 3V
- **导通电阻(RDS(ON))**: 3.6mΩ @ VGS=4.5V, 3mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**: 210A
- **技术**: Trench
领域和模块应用:
### 应用领域及模块
2SK2313-VB MOSFET 具有高功率和高效的特性,适用于以下领域和模块:
1. **电源管理系统**:在需要高功率开关和稳定性能的应用中,该MOSFET能够提供可靠的开关性能,适用于工业电源和高功率电源供应器。
2. **电机驱动**:在需要处理高功率的电机控制和驱动应用中,该MOSFET能够提供高效的开关和控制特性,适用于电动车驱动系统、工业电机控制和大功率家电中的电机控制模块。
3. **汽车电子**:在汽车电子系统中,该MOSFET能够处理汽车电源管理和高功率电路控制的需求,适用于车载电源系统和电动汽车中的高功率控制模块。
4. **工业控制**:用于工业控制系统中的高功率开关和保护电路,2SK2313-VB能够提供可靠的高功率开关性能,适用于工业自动化控制系统中的各种高功率开关应用。
通过这些应用示例,可以看出2SK2313-VB MOSFET 适用于需要高功率、高效开关特性的多种电子和工业应用场景。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性