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2SK2313-VB 产品详细

产品简介:

### 产品简介

2SK2313-VB 是一款高功率、单N沟道MOSFET,采用TO3P封装。其设计采用了Trench技术,具有高效的开关性能和低导通电阻,适用于高功率应用场景。该MOSFET具有60V的漏源电压(VDS),能够在较低的栅极电压下提供可靠的导通性能。其最大漏极电流(ID)为210A,栅源电压(VGS)为20V(±),门限电压(Vth)为3V。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO3P Single-N-Channel 60V 20(±V) 3V 210A 3.6mΩ 3mΩ

### 详细参数说明

- **型号**: 2SK2313-VB
- **封装**: TO3P
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压(VDS)**: 60V
- **栅源电压(VGS)**: ±20V
- **门限电压(Vth)**: 3V
- **导通电阻(RDS(ON))**: 3.6mΩ @ VGS=4.5V, 3mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**: 210A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:



### 应用领域及模块

2SK2313-VB MOSFET 具有高功率和高效的特性,适用于以下领域和模块:

1. **电源管理系统**:在需要高功率开关和稳定性能的应用中,该MOSFET能够提供可靠的开关性能,适用于工业电源和高功率电源供应器。

2. **电机驱动**:在需要处理高功率的电机控制和驱动应用中,该MOSFET能够提供高效的开关和控制特性,适用于电动车驱动系统、工业电机控制和大功率家电中的电机控制模块。

3. **汽车电子**:在汽车电子系统中,该MOSFET能够处理汽车电源管理和高功率电路控制的需求,适用于车载电源系统和电动汽车中的高功率控制模块。

4. **工业控制**:用于工业控制系统中的高功率开关和保护电路,2SK2313-VB能够提供可靠的高功率开关性能,适用于工业自动化控制系统中的各种高功率开关应用。

通过这些应用示例,可以看出2SK2313-VB MOSFET 适用于需要高功率、高效开关特性的多种电子和工业应用场景。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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