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2310-VB TO223 产品详细

产品简介:

### 2310-VB TO223 产品简介

2310-VB TO223 是一款高性能的单 N 沟道 MOSFET,设计用于中低压和中低电流应用。采用了沟槽技术,具有较低的导通电阻和适中的漏极电流能力,适用于各种电源管理和开关应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT223 Single-N-Channel 60V 20(±V) 1.7V 4.5A 85mΩ 76mΩ
### 2310-VB TO223 详细参数说明

- **封装类型**: SOT223
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 60V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **门限电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 85mΩ @ VGS=4.5V
- 76mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 4.5A
- **技术类型**: Trench

领域和模块应用:


### 应用领域和模块举例

**电源管理**:
2310-VB TO223 可用于电源管理系统中的低压 DC-DC 转换器和稳压器。其低导通电阻和适中漏极电流能力有助于降低功耗,提高系统效率。

**LED 驱动器**:
在 LED 驱动器电路中,该产品可用于控制电流和电压,以确保 LED 的稳定亮度和长寿命。

**消费电子产品**:
在消费电子产品中,2310-VB TO223 可用于电池管理系统和电源开关。其小尺寸和高性能使其适合各种便携设备。

**通信设备**:
在通信设备中,该产品可用于低功耗 RF 模块和信号调节器。其低导通电阻确保了高效能和低功耗。

2310-VB TO223 通过在多种应用场景中的优异表现,展示了其作为高性能 MOSFET 的优势,为设计工程师提供了理想的选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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